[发明专利]一种正面电极二次套印工艺无效
申请号: | 201110142187.5 | 申请日: | 2011-05-30 |
公开(公告)号: | CN102270696A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 安丹丹;黄红娜;张满良;吴廷斌 | 申请(专利权)人: | 合肥海润光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B41M1/12 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 徐激波 |
地址: | 230000 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 正面 电极 二次 套印 工艺 | ||
1.一种正面电极二次套印工艺,其特征在于:包括以下步骤:
1)采用一号丝网印刷机印刷背电极;
2)采用二号丝网印刷机印刷背电场;
3)在背电极、背电场印刷完成之后,电池片正面栅线图案印刷通过主栅线、辅栅线二次套印的方式完成,即将主栅线、辅栅线分开印刷。
2.根据权利要求1所述的一种正面电极二次套印工艺,其特征在于:所述步骤3)中在背电极、背电场印刷完成之后,采用三号丝网印刷机印刷辅栅线,辅栅线印刷完成之后使用四号丝网印刷机或更换三号丝网印刷机的网版图形去印刷主栅线。
3.根据权利要求1所述的一种正面电极二次套印工艺,其特征在于:所述步骤3)中在背电极、背电场印刷完成之后,采用三号丝网印刷机印刷主栅线,主栅线印刷完成之后使用四号丝网印刷机或更换三号丝网印刷机的网版图形去印刷辅栅线。
4.根据权利要求1所述的一种正面电极二次套印工艺,其特征在于:所述辅栅线采用高膜厚,膜厚为25-30 um,所述主栅线采用低膜厚,膜厚为5-10um。
5.根据权利要求1所述的一种正面电极二次套印工艺,其特征在于:所述二次套印网版设计为.辅栅线完全连接,中间没有断开去预留出主栅线的位置。
6.根据权利要求1所述的一种正面电极二次套印工艺,其特征在于:所述二次套印网版设计为辅栅线中间断开预留出主栅线的位置,并在网版图形上添加mark点以方便二次套印时的对位。
7.根据权利要求1所述的一种正面电极二次套印工艺,其特征在于:所述主栅线、辅栅线的印刷选取银含量不同的银浆,负责电流传导的主栅线选取银含量较低的银浆,而收集电流的辅栅线选择银含量较高的银浆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的