[发明专利]氮化物荧光体及其制造方法与发光装置有效
| 申请号: | 201110142082.X | 申请日: | 2011-05-26 |
| 公开(公告)号: | CN102433122A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
| 发明(设计)人: | 庄渊仁;温正雄;林志龙 | 申请(专利权)人: | 奇美实业股份有限公司 |
| 主分类号: | C09K11/80 | 分类号: | C09K11/80;C09K11/79;C09K11/78;H01L33/50 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 郭鸿禧;薛义丹 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 氮化物 荧光 及其 制造 方法 发光 装置 | ||
1.一种荧光体,组成式为Ii-Mm-Aa-Bb-Ot-Nn:Zr,其中,I选自于锂、钠及钾所组成的群组,M选自于钙、锶、镁、钡、铍及锌所组成的群组,A选自于铝、镓、铟、钪、钇、镧、钆及镥所组成的群组,B选自于硅、锗、锡、钛、锆及铪所组成的群组,Z元素选自于铕及铈所组成的群组,其中,m+r=1,0<i<0.25,0<a<1,0<b<2,1.15<b/a<1.4,0≤t≤0.7,2.1≤n≤4.4,0.001≤r≤0.095。
2.如权利要求1所述的荧光体,其中,1.25<b/a<1.4。
3.如权利要求1所述的荧光体,其中,0.001≤i≤0.2。
4.如权利要求1所述的荧光体,其中,荧光体为单斜晶系。
5.如权利要求1所述的荧光体,其中,M元素含有钙元素及锶元素。
6.如权利要求5所述的荧光体,其中,荧光体为单斜晶系。
7.如权利要求1所述的荧光体,其中,锶含量占M元素的比例大于20%。
8.如权利要求1所述的荧光体,其中,a+0.5i=1。
9.如权利要求1所述的荧光体,其中,0.1≤t≤0.7。
10.如权利要求1所述的荧光体,M选自于钙、锶所组成的群组,A至少含有铝,B至少含有硅,Z至少含有铕。
11.如权利要求1至权利要求10中的任意一项所述的荧光体,所述荧光体受激发时所发出的发光色调的CIE 1931色度坐标(x,y)为,0.45≤x≤0.72,0.2≤y≤0.5。
12.如权利要求1至权利要求11中的任意一项所述的荧光体的制造方法,该方法包括:
称量步骤,称量原料;
混合步骤,混合这些原料而获得混合物;
烧成步骤,在高温炉中烧成该混合物而获得烧成物;
粉碎步骤,粉碎该烧成物,获得荧光体;
其中,这些混合物包含碱金属化合物。
13.如权利要求12所述的荧光体的制造方法,其中,该原料包含碱金属碳酸盐类。
14.如权利要求12所述的荧光体的制造方法,其中,该原料包含碳酸锂或碳酸钾。
15.如权利要求12所述的荧光体的制造方法,其中,该烧成步骤在1大气压下烧成该混合物。
16.如权利要求12所述的荧光体的制造方法,其中,该烧成步骤以1600~1800℃烧成该混合物。
17.如权利要求16所述的荧光体的制造方法,其中,烧成步骤以1700~1800℃烧成该混合物。
18.一种发光装置,所述发光装置包括:
发光组件;
荧光体,该荧光体受该发光组件所发出的光激发,并转换发出相异于激发光的光,其中,该荧光体为如权利要求1至权利要求11中的任一项所述的荧光体。
19.如权利要求18所述的发光装置,其中,该发光组件发出300~550nm波长的光。
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