[发明专利]背接触晶体硅太阳能电池片制造方法

说明书

技术领域

本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种背接触晶体硅太阳能电池片制造方法。

背景技术

太阳能电池，也称光伏电池，是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品，不会引起环境污染，而且是可再生资源，所以在当今能源短缺的情形下，太阳能电池是一种有广阔发展前途的新型能源。目前，80％以上的太阳电池是由晶体硅材料制备而成，因此，制备高效率的晶体硅太阳电池对于大规模利用太阳能发电有着十分重要的意义，由于背接触晶体硅太阳电池的受光面没有主栅线，正极和负极都位于电池片的背光面，这就大大降低了受光面栅线的遮光率，提高了电池片的转换效率，所以背接触晶体硅太阳能电池成为目前太阳电池研发的热点。

目前，背接触晶体硅太阳能电池片的制造工艺已经标准化，其主要步骤如下：

1.开孔：采用激光在硅片开至少一个导电孔。

2.制绒：通过化学反应使原本光亮的硅片表面(包括正面和背面)形成凸凹不平的结构以延长光在其表面的传播路径，从而提高太阳能电池片对光的吸收。

3.扩散制结：P型硅片在扩散后表面及导电孔内壁变成N型电极，或N型硅片在扩散后表面及导电孔内壁变成P型电极，形成PN结，使得硅片具有光伏效应。

4.周边刻蚀：对硅片的侧面进行刻蚀。

5.去除掺杂玻璃层：将硅片表面扩散时形成的掺杂玻璃层去除。

6.镀膜：在硅片受光面表面镀减反射膜，目前主要有两类减反射膜，氮化硅膜和氧化钛膜，主要起减反射和钝化的作用。

7.制备电极及电场：将背面电极、正面电极以及背面电场制备到硅片上。

8.烧结：使制备的电极、背面电场与硅片之间形成合金。

9.激光隔离：该步骤的目的在于去掉扩散制结时在硅片背面与导电孔之间形成的将P-N结短路的导电层。

现有的制造工艺中，在扩散制结步骤中，会在太阳能电池片背光面与导电孔之间形成将P-N结短路的导电层，这大大降低了电池片的并联电阻，容易出现漏电，所以需要通过激光隔离步骤将P-N结之间的导电层去除掉。但采用激光隔离可能会使太阳能电池片出现新的漏电途径，导致电池片的性能降低，另外，激光对电池片本身的损伤比较大，在激光隔离过程中可能出现碎片，增加了电池片的生产成本。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供一种背接触晶体硅太阳能电池片制造方法，在刻蚀前对半导体基片的通孔内设置阻挡浆料，在刻蚀时，可以避免在刻蚀时对通孔内壁上扩散形成的发射结进行刻蚀，这样得到的太阳能电池片的孔内有发射结，并且在背光面没有发射结，即可实现导电孔内的发射结绝缘。

为了实现上述目的，本申请实施例提供的技术方案如下：

一种背接触晶体硅太阳能电池片制造方法，包括；

在半导体基片的表面进行打孔、制绒；

在制绒后所述半导体基片的表面上及通孔的内壁上进行扩散，形成P-N结；

在扩散后所述半导体基片的通孔内设置阻挡浆料；对设置阻挡浆料后所述半导体基片的进行刻蚀；

去除刻蚀后所述半导体基片上通孔内的阻挡浆料；

将去除阻挡浆料后所述半导体基片上的掺杂玻璃层去除；

对去掺杂玻璃层后所述半导体基片进行处理后得到背接触晶体硅太阳能电池片。

优选地，在半导体基片的表面进行扩散的过程为：

在所述半导体基片的单面或双面进行扩散，并且对所述半导体基片的通孔内壁进行扩散。

优选地，当在所述半导体基片进行扩散后，所述对设置阻挡浆料后所述半导体基片进行刻蚀的过程为：

对设置阻挡浆料后所述半导体基片的侧面和背光面进行刻蚀。

优选地，所述阻挡浆料的材料为高分子树脂。

优选地，去除刻蚀后所述半导体基片上的阻挡浆料的过程为：

采用温度为20℃-90℃，浓度为0.05％-10％的碱液冲洗所述半导体基片上的阻挡浆料。

优选地，对去除掺杂玻璃层后所述半导体基片进行处理过程为：

在去除掺杂玻璃层后所述半导体基片的受光面上镀膜；

在镀膜后所述半导体基片上制备电极及背电场得到背接触晶体硅太阳能电池片。