[发明专利]深槽高压终端结构的制作方法以及高压半导体器件无效
| 申请号： | 201110138657.0 | 申请日： | 2011-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN102214583A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 陈雪萌 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/331;H01L29/06;H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 终端 结构 制作方法 以及 半导体器件 | ||
1.一种深槽高压终端结构的制作方法，包括步骤：
提供半导体衬底，其上依次形成有高压半导体器件、覆盖所述高压半导体器件的氧化层以及图形化的互连线；
依次刻蚀所述氧化层和半导体衬底，在所述高压半导体器件两侧分别形成深槽，所述深槽刻蚀掉一部分阱区并延伸至所述半导体衬底中；
在所述氧化层表面涂覆阻挡材料，所述深槽也会被同步填满；
在所述高压半导体器件的引线孔的位置刻蚀所述阻挡材料，露出底部的互连线。
2.根据权利要求1所述的终端结构的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底为N型硅衬底，所述阱区为P阱。
3.根据权利要求1或2所述的终端结构的制作方法，其特征在于，所述氧化层采用干法刻蚀法去除，刻蚀气体包括CF4。
4.根据权利要求2所述的终端结构的制作方法，其特征在于，所述N型硅衬底采用深反应离子刻蚀法去除，刻蚀气体包括CF4、SF6和O2。
5.根据权利要求1或2所述的终端结构的制作方法，其特征在于，所述高压半导体器件为VDMOS或者IGBT。
6.根据权利要求1或2所述的终端结构的制作方法，其特征在于，所述阻挡材料为聚酰亚胺。
7.一种高压半导体器件，形成于半导体衬底上，高压半导体器件高压半导体器件包括：
位于所述半导体衬底上的栅极；
分别位于所述栅极两侧的器件阱区；
覆盖所述半导体衬底和栅极的氧化层，其上布有图形化的互连线；
分别位于所述器件阱区两侧的深槽，所述深槽刻蚀一部分阱区并延伸至所述半导体衬底中；
覆盖所述氧化层和填充所述深槽的阻挡材料，其中所述器件引线孔位置处的阻挡材料被去除并露出所述互连线。
8.根据权利要求7所述的高压半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底为N型硅衬底，所述阱区为P阱。
9.根据权利要求8所述的高压半导体器件，其特征在于，所述N型硅衬底采用深反应离子刻蚀法刻蚀，刻蚀气体包括CF4、SF6和O2。
10.根据权利要求7或8所述的高压半导体器件，其特征在于，所述高压半导体器件为VDMOS或者IGBT。
11.根据权利要求7或8所述的高压半导体器件，其特征在于，所述阻挡材料为聚酰亚胺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
