[发明专利]电致变色显示器件、其制备方法、阴极结构及微格阵列

权利要求书

1.一种电致变色显示器件，包括：在第二导电基材上依次形成的微格阵列、阴极薄膜、第一导电基材及密封材料，所述微格阵列中每个微格内填充有阳极材料，所述密封材料用于密封所述阴极薄膜及所述阳极材料，其特征在于，

所述阴极薄膜的至少一个侧边具有阻挡条，所述阻挡条在垂直于所述第一导电基材方向上的厚度与所述阴极薄膜的厚度相同；

所述微格阵列四周的外墙中有三面外墙的高度超出所述微格的高度，以在所述微格上方形成具有缺口的抽屉状导槽，所述超出的高度与所述阴极薄膜的厚度相同，所述抽屉状导槽的内部尺寸与具有所述阻挡条的所述阴极薄膜的外周尺寸匹配，以使具有所述阻挡条的所述阴极薄膜嵌入所述抽屉状导槽中，且所述阻挡条对应于所述缺口的位置。

2.根据权利要求1所述的电致变色显示器件，其特征在于，所述阻挡条由辐射固化材料制成。

3.根据权利要求1所述的电致变色显示器件，其特征在于，所述微格阵列由辐射固化材料制成。

4.根据权利要求1所述的电致变色显示器件，其特征在于，所述阴极薄膜的所述厚度与所述微格的高度比为1∶3～1∶10，优选为1∶5～1∶8。

5.根据权利要求1～4任一项所述的电致变色显示器件，其特征在于，所述密封材料为紫外线固化胶或者低温环氧树脂胶。

6.一种电致变色显示器件的制备方法，其特征在于，包括：

在第一导电基材上形成阴极薄膜；

在所述阴极薄膜的至少一个侧边形成阻挡条，所述阻挡条在垂直于所述第一导电基材方向上的厚度与所述阴极薄膜的厚度相同；

在第二导电基材上形成微格阵列，所述微格阵列四周的外墙中有三面外墙的高度超出所述微格阵列中微格的高度，以在所述微格上方形成具有缺口的抽屉状导槽，所述超出的高度与所述阴极薄膜的厚度相同，所述抽屉状导槽的内部尺寸与具有所述阻挡条的所述阴极薄膜的外周尺寸匹配；

在所述微格阵列的每个所述微格中填充阳极材料；

使所述阴极薄膜的、与具有所述阻挡条的侧边相对的另一侧边对准所述抽屉状导槽的缺口，将所述阴极薄膜推入所述抽屉状导槽内，以使所述第一、二导电基材、所述阴极薄膜与所述微格阵列扣合成盒状结构；

用密封材料封装所述盒状结构。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述阴极薄膜的至少一个侧边形成阻挡条，包括：

在所述阴极薄膜的至少一个侧边涂覆第一辐射固化材料并进行光固化，以在所述阴极薄膜的至少一个侧边形成所述阻挡条。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在第二导电基材上形成微格阵列，包括：

在所述第二导电基材上涂覆第二辐射固化材料；

通过灰阶掩膜版将所述第二辐射固化材料光照固化；

清洗未固化的所述第二辐射固化材料以在所述第二导电基材上形成所述微格阵列。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述微格阵列的每个所述微格中填充阳极材料，包括：

采用刮涂或灌装的方式在所述微格阵列的每个所述微格中填充阳极材料。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在第一导电基材上形成阴极薄膜，包括：

在所述第一导电基材上形成厚度为20～40μm的成膜用槽；

采用丝网印刷、刮涂或旋涂的方式在所述成膜用槽中填充阴极材料；

在30℃～50℃，优选为45℃的环境温度下，对所述第一导电基材烘烤30min，形成厚度为5～20μm，优选为10～15μm的阴极薄膜；

去除所述成膜用槽。

11.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述使所述阴极薄膜的、与具有所述阻挡条的侧边相对的另一侧边对准所述抽屉状导槽的缺口，包括：

采用红外探测的方式使所述阴极薄膜的、与具有所述阻挡条的侧边相对的另一侧边对准所述抽屉状导槽的缺口。