[发明专利]多晶Si1-xGex/金属并列覆盖双栅SSGOI nMOSFET器件结构

权利要求书

1.一种多晶Si_1-xGe_x/金属并列覆盖双栅SSGOI nMOSFET器件结构，自上而下依次包括：

多晶Si_1-xGe_x/金属并列覆盖双栅结构；

栅绝缘层；

本征或者p^-掺杂应变Si电子量子阱层；

p掺杂弛豫Si_1-yGe_y缓冲层；

台阶式埋氧层；

p^-掺杂的衬底，所述p^-掺杂的单晶Si(100)衬底由p弛豫Si_1-yGe_y缓冲层、p弛豫SiGe渐变层以及单晶Si三部分组成。

2.如权利1所述的SSGOI nMOSFET器件结构，其特征在于，所述的多晶Si_1-xGe_x/金属并列覆盖双栅结构包括多晶Si_1-xGe_x栅极和金属栅极，多晶Si_1-xGe_x栅极完全被金属栅极所包含覆盖，多晶Si_1-xGe_x栅极位于靠近源极的一侧，金属栅极位于靠近漏极的一侧，两种栅极并列接触形成异质双栅，并且多晶Si_1-xGe_x栅极的功函数W_poly与金属栅极的功函数W_gate二者必须满足W_poly＞W_gate。

3.如权利2所述的SSGOI nMOSFET器件结构，其特征在于，使用直角折角形的覆盖式栅结构，即多晶Si_1-xGe_x栅极完全被直角折角形的金属栅极所包含覆盖。

4.如权利2所述的SSGOI nMOSFET器件结构，其特征在于，多晶Si_1-xGe_x栅极为控制栅(Control-Gate)，其功函数W_poly可以拟合为关于栅极Ge组分x的连续函数，由此可以根据具体设计要求灵活调整器件的阈值电压。

5.如权利1所述的SSGOI nMOSFET器件结构，其特征在于，所述台阶式埋氧层采用台阶式结构，并且氧化层的台阶高度小于所述台阶式埋氧层的厚度，氧化层的台阶宽度等于沟道长度。