[发明专利]相位差板及其制作方法有效
申请号: | 201110132478.6 | 申请日: | 2011-05-20 |
公开(公告)号: | CN102654595A | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
发明(设计)人: | 叶訢;朱修剑 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | G02B5/30 | 分类号: | G02B5/30;G03F7/20 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 相位差 及其 制作方法 | ||
1.一种相位差板,其特征在于,包括:第一基板和第二基板,所述第一基板的下方和所述第二基板的上方分别形成有第一透明电极层和第二透明电极层,所述第一透明电极层的下方和所述第二透明电极层的上方分别形成有配向膜,两层所述配向膜之间填充有固化的液晶层,所述液晶层分为交错排列的第一区域和第二区域,所述液晶层中第一区域和第二区域的液晶分子具有不同排列规律。
2.根据权利要求1所述的相位差板,其特征在于,所述液晶层中掺有活性介晶单体。
3.根据权利要求1所述的相位差板,其特征在于,所述液晶层的第一区域和第二区域的液晶分子使经过的光线产生不同的相位差值。
4.根据权利要求2所述的相位差板,其特征在于,所述活性介晶单体的质量为所述液晶层质量的0.1%-2%。
5.根据权利要求1所述的相位差板,其特征在于,所述第一区域和第二区域在水平方向和垂直方向上均交错排列。
6.根据权利要求5所述的相位差板,其特征在于,所述第一区域和第二区域为在水平方向和垂直方向上均交错排列的长方形区域,每个长方形区域对应一个像素或像素组的面积。
7.根据权利要求5所述的相位差板,其特征在于,所述第一区域和第二区域为在水平方向和垂直方向上均交错排列的“L”形区域,每个“L”形区域对应四个像素的面积。
8.一种相位差板的制作方法,其特征在于,包括:
在第一基板的下方和第二基板的上方分别形成第一透明电极层和第二透明电极层;
在第一透明电极层的下方和第二透明电极层的上方分别形成配向膜;
在两层所述配向膜之间填充液晶层,所述液晶层中掺有活性介晶单体;
对第一透明电极层和第二透明电极层施加第一电压,同时使用掩模板对所述液晶层进行第一次曝光;
对第一透明电极层和第二透明电极层施加第二电压,同时使用掩模板对所述液晶层进行第二次曝光,所述第二次曝光的区域为第一次曝光未进行曝光的区域。
9.根据权利要求8所述的相位差板的制作方法,其特征在于,在所述对第一透明电极层和第二透明电极层施加第二电压,同时使用掩模板对所述液晶层进行第二次曝光之后,还包括:对曝光之后的所述液晶层进行固化,形成具有交错排列的第一区域和第二区域的液晶层,所述液晶层中第一区域和第二区域的液晶分子具有不同排列规律。
10.根据权利要求8所述的相位差板的制作方法,其特征在于,所述第一次曝光的曝光量为0.02-0.5mW/cm2,所述第二次曝光的曝光量为10-15mW/cm2。
11.根据权利要求8所述的相位差板的制作方法,其特征在于,所述掩模板分为曝光区域和非曝光区域,所述曝光区域和非曝光区域在水平方向和垂直方向上均交错排列。
12.根据权利要求11所述的相位差板的制作方法,其特征在于,所述曝光区域和非曝光区域为在水平方向和垂直方向上均交错排列的长方形区域,每个长方形区域对应一个像素或像素组的面积。
13.根据权利要求11所述的相位差板的制作方法,其特征在于,所述曝光区域和非曝光区域为在水平方向和垂直方向上均交错排列的“L”形区域,每个“L”形区域对应四个像素的面积。
14.根据权利要求8所述的相位差板的制作方法,其特征在于,所述活性介晶单体的质量为所述液晶层质量的0.1%-2%。
15.根据权利要求8所述的相位差板的制作方法,其特征在于,所述第一电压为15-25V,所述第二电压为2-6V。
16.根据权利要求8所述的相位差板的制作方法,其特征在于,所述液晶层中的活性介晶单体在曝光时与液晶分子发生聚合反应,使液晶分子具有一定的排列规律。
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