[发明专利]一种有机半导体材料及该材料制备有机薄膜晶体管的方法有效
| 申请号： | 201110132413.1 | 申请日： | 2011-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN102229725A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 邱龙臻;徐琼;王晓鸿;吕国强 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | C08L25/06 | 分类号： | C08L25/06;C08L33/12;C08L67/04;C08L71/02;C08L53/02;C08L65/00;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 何梅生 |
| 地址： | 230011 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有机 半导体材料 材料 制备 薄膜晶体管 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种有机半导体材料，其特征在于：本材料是由半导体材料组分聚3-己基噻吩以连续纳米纤维线分散于200℃以下可熔融加工的热塑性聚合物中得到的共混物，其中聚3-己基噻吩组分的质量占共混物总质量的1-50％。
2.根据权利要求1所述的有机半导体材料，其特征在于：所述的热塑性聚合物选自聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚己内酯、聚氧化乙烯或苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物。
3.一种有机薄膜晶体管的制备方法，包括基板、栅极、源电极和漏电极及半导体层的制备，其特征在于：用权利要求1所述的有机半导体材料按以下步骤制备半导体层：
a)将有机半导体材料共混物小碎片均匀置于源、漏电极和导电沟道处，或者将共混物粉末撒在掩模板上，在60-150℃预烘4-8min，直到共混物熔融软化；
b)在60-150℃下压延成膜，使共混物粘到基板上；
c)在60-150℃干燥10-30min。
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