[发明专利]访问包含认证私密钥的集成电路的方法和系统有效
| 申请号: | 201110132298.8 | 申请日: | 2011-05-20 |
| 公开(公告)号: | CN102354413B | 公开(公告)日: | 2017-01-18 |
| 发明(设计)人: | B·科利耶;R·西米琼莫 | 申请(专利权)人: | 欧贝特技术公司 |
| 主分类号: | H04L9/08 | 分类号: | H04L9/08 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 余全平 |
| 地址: | 法国勒瓦*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 访问 包含 认证 密钥 集成电路 方法 系统 | ||
1.访问集成电路(10i)的方法,所述方法包括一认证步骤(E13′,E13″):利用访问装置(320),通过使用所述集成电路特有的并存储在该集成电路中的认证私密钥(MSKDi),对所述集成电路进行认证,所述认证私密钥通过分散化根密钥(MSK)生成,其特征在于:
-通过分散化所述根密钥(MSK)的生成方法实施至少两个分散化密钥的步骤(S1,S2),并且
-所述访问装置(320)从中央工场(100)接收一中间密钥(MSKL),所述中间密钥(MSKL)产生于分散化所述根密钥(MSK)的第一步分散化骤(S1)。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述访问装置(320)对所述接收的中间密钥(MSKL)实施(E136′)第二分散化步骤(S2),以获得用于对所述集成电路(10i)进行认证(E13′,E13″)的所述认证私密钥(MSKDi)。
3.根据前述权利要求任一项所述的方法,其特征在于,所述认证私密钥(MSKDi)通过基于所述集成电路(10i)的唯一序列号(IDi)分散化所述根密钥(MSK)的方式获得。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述第一分散化步骤(S1)包括基于所述集成电路的唯一序列号(IDi)的第一子部分(IDlot,IDwafer)分散化所述根密钥(MSK)的操作。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述序列号(IDi)的所述第一子部分(IDlot,IDwafer)对于多个集成电路是共同的。
6.根据权利要求4或5所述的方法,其特征在于,第二分散化步骤(S2)包括基于所述集成电路的唯一序列号(IDi)的第二子部分(IDcircuit)分散化所述中间密钥(MSKL)的操作。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述唯一序列号的所述第二子部分包含从所述第一子部分(IDlot,IDwafer)识别的所述多个集成电路内识别所述集成电路(10i)的识别信息(IDcircuit)。
8.根据权利要求3到7任一项所述的方法,其特征在于,所述集成电路的唯一序列号存储在所述集成电路的非易失性存储器上。
9.根据权利要求1到8任一项所述的方法,其特征在于,所述方法包括在制造工场(200)制造所述集成电路(10i)的制造步骤,和通过所述制造工场,接收来自所述中央工场(100)的所述根密钥(MSK)或所述中间密钥(MSKL)的接收步骤(E2),和
所述制造包括将所述根密钥(MSK)或所述中间密钥(MSKL)记录在所述集成电路的非易失性存储器(12)中的记录步骤(E4′)。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述方法包括一生成步骤,其在于:在所述集成电路(10i)内并在响应通过所述集成电路接收的第一信号(E61,E131)时,通过分散化所述记录的密钥(MSK,MSKL)生成(E62′,E132″)所述认证私密钥(MSKDi)。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述方法包括一写入步骤(E64′,E134″):在通过所述集成电路(10i)接收所述第一信号(E61,E131)时,在一次性可编程的非易失性存储器(15)中写入一指示第一信号已经被接收的信息(150)。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述方法在接收(E61,E131)信号时和在所述认证私密钥(MSKDi)的生成(E62′,E132″)启动之前包括一确定步骤:确定在一次性可编程的非易失性存储器(15)中存在所述的指示第一信号已经接收的信息(150)。
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