[发明专利]基板处理装置、基板处理装置的控制装置及其控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置、基板处理装置的控制装置及其控制方法，特别是涉及一种能够提高基板处理中的面内均匀性的控制装置及其控制方法。

背景技术

以往，在CVD装置等的基板处理装置中，通过向基板上供给处理气体来在基板上进行成膜。在这种情况下，一边旋转基板一边持续一定时间地供给处理气体，因此基板旋转周期很少对基板处理中的面内均匀性造成影响。

然而，近年来对于基板上的成膜的微细化的要求变高，使得以短期间断续地供给处理气体。在这种情况下，已判明了基板的旋转周期和处理气体的供给周期的关系会影响基板处理中的面内均匀性。已知特别是在原子层沉积法(ALD法)的工艺中有影响。

专利文献1：日本特开2009-239304

发明内容

本发明是考虑这种问题点来完成的，其目的在于，提供一种基板处理装置、其控制装置以及其控制方法，能够考虑基板的旋转周期和处理气体的供给周期对基板处理中的面内均匀性造成的影响，通过控制基板的旋转周期以及处理气体的供给周期来实现该面内均匀性的提高。

本发明是一种基板处理装置，其特征在于，具备：具备：基板处理室，其收纳基板来进行处理；基板旋转机构，其以使上述基板自由旋转的方式保持上述基板处理室内的上述基板；处理气体供给部，其对上述基板处理室内的上述基板供给处理气体；以及控制装置，其控制上述基板旋转机构以及上述处理气体供给部，其中，上述控制装置具有：设定值输入部，其输入上述基板旋转机构的旋转速度设定值P以及来自上述处理气体供给部的处理气体的供给周期设定值Q、供给时间设定值R和供给次数设定值S；以及模式运算部，其根据来自上述设定值输入部的信息来求出处理气体供给周期模式的运算结果，该处理气体供给周期模式的运算结果包含上述基板旋转机构的旋转周期以及处理气体的供给周期、供给时间和供给次数。

本发明是一种基板处理装置，其特征在于，上述控制装置还具有模拟器，该模拟器根据来自上述设定值输入部的信息来模拟供给到上述基板上的处理气体的供给区域的形状，上述模拟器的模拟结果被显示在显示器上。

本发明是一种基板处理装置，其特征在于，上述控制装置还具有：存储部，其存储有对工艺结果造成坏影响的处理气体供给周期模式的参照结果；比较部，其将由上述模式运算部求出的处理气体供给周期模式的运算结果与来自上述存储部的处理气体供给周期模式的参照结果进行比较；以及报警部，其在由上述比较部判断为处理气体供给周期模式的运算结果与处理气体供给周期模式的参照结果一致的情况下发出报警。

本发明是一种基板处理装置，其特征在于，上述控制装置还具有：变更指示部，其在由比较部判断为处理气体供给周期模式的运算结果与处理气体供给周期模式的参照结果一致的情况下，指示上述设定值输入部变更旋转速度设定值P、供给周期设定值Q、供给时间设定值R以及供给次数设定值S中的某一个；教导部，其在新发现了对工艺结果造成坏影响的处理气体供给周期模式的情况下，将该处理气体供给周期模式加入到上述存储部中的处理气体供给周期模式的参照结果中；以及优先级输出部，其对上述变更指示部输出关于应该优先变更旋转速度设定值P、供给周期设定值Q、供给时间设定值R以及供给次数设定值S中的哪一个设定值的信息。

本发明是一种基板处理装置，其特征在于，上述优先级输出部向上述变更指示部进行输出，以使上述变更指示部优先变更旋转速度设定值P和供给周期设定值Q。

本发明是一种基板处理装置，其特征在于，上述基板旋转机构使载置一张基板的基座进行旋转。

本发明是一种基板处理装置，其特征在于，上述基板旋转机构使载置多张基板的基座进行旋转。

本发明是一种基板处理装置，其特征在于，上述基板旋转机构由使收纳有多张基板的晶圆舟进行旋转的晶圆舟旋转机构构成。

本发明是一种基板处理装置，其特征在于，上述处理气体供给部由在被上述基板旋转机构保持的基板外周处分开配置的一对处理气体供给装置构成，一对上述处理气体供给装置中，一个处理气体供给装置供给A气体，另一个处理气体供给装置供给与A气体不同的B气体。