[发明专利]高聚光倍数太阳能电池的散热器及制造方法有效
申请号: | 201110132005.6 | 申请日: | 2011-05-20 |
公开(公告)号: | CN102208472A | 公开(公告)日: | 2011-10-05 |
发明(设计)人: | 林志伟;张银桥;蔡建九;张永;陈凯轩;单智发;张双翔;占荣;王向武 | 申请(专利权)人: | 厦门乾照光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052;H01L31/18 |
代理公司: | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人: | 李宁;唐绍烈 |
地址: | 361000 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚光 倍数 太阳能电池 散热器 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种聚光太阳能电池的散热装置,具体涉及应用特殊材料和结构作聚光太阳能电池的散热装置及制造方法。
背景技术
传统的燃料能源渐渐稀缺,对环境造成的危害日益突出,太阳能作为地球上一个用之不竭的可再生能源宝库,大力发展光伏产业已经成为各国政府的共识。专家预测,到2030年太阳发电将占世界发电总量的50%。
在全球对光伏产业投以众望时,聚光太阳能电池是所有形式的太阳能电池中最有优势的。目前国际市场上已经出现聚光电池,尤其以欧美国家为代表。但鉴于目前聚光电池的技术应用处于前期试验推广阶段尚未实现规模化发展,其价格约为普通光电池的5至10倍,其光电转化率却高达30%。所以“价廉物美的定日镜+高转化率聚光电池+高效率的散热体系”的发电模式成为目标,能比现有大面积平板式光伏电池有更大的降价空间。
聚光太阳能电池发电效率高,通过菲涅尔透镜将太阳光聚到电池芯片上,聚光倍数越大发电量越大。随着聚光倍数的增加,使得聚光太阳能电池温度急遽上升,如果不迅速把热量导走,不仅导致发电效率下降,还会烧坏电池芯片。所以高效率的散热体系是太阳能电池系统的一个关键技术。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高聚光倍数太阳能电池的散热器及制造方法,采用特殊材料和结构的导热层作为太阳能聚光电池散热装置,使得聚光太阳能电池能在更高的聚光倍数下工作。
为了实现上述目的,本发明的解决方案是:
一种高聚光倍数太阳能电池的散热器,由铜薄层、银铜钛合金层、金刚石膜、银铜钛合金层和铜底座组成,在聚光太阳能电池底下形成铜薄层,铜薄层下面形成银铜钛合金层,此铜薄层和银铜钛合金层上形成绝缘通道,银铜钛合金层下面形成金刚石膜,金刚石膜下面再形成银铜钛合金层,银铜钛合金层下面形成铜底座,铜底座中形成冷却水通道。
所述冷却水通道的上端为方形结构。
所述铜薄层厚度为50~100μm。
一种高聚光倍数太阳能电池的散热器制造方法:首先利用电子辅助热丝化学气相沉积法(EACVD),在钼衬底上沉积金刚石膜;利用磁控溅射化学气相沉积法,在真空反应室里充氢气保护,磁控溅射蒸镀钛与金刚石结合,在金刚石膜上下面表层形成碳化钛结构;利用磁控溅射蒸镀银铜合金,在碳化钛表层形成银铜钛合金层;利用激光焊接技术,将金刚石膜底下的银铜钛合金层与铜底座焊接在一起,铜底座的冷却水通道上端为方形结构;将金刚石膜上面的银铜钛合金与铜薄层焊接在一起;再把聚光太阳能电池焊接到铜薄层上;最后利用激光直写方法,在金刚石膜上面的银铜钛合金层和铜薄层去掉一个绝缘通道。
所述金刚石膜的厚度为200~300μm。
所述碳化钛结构的厚度为0.01~0.02μm。
所述银铜钛合金层的厚度为0.05~0.10μm。
所述绝缘通道宽1mm深0.15μm。
本发明在聚光太阳能电池散热器里采用金刚石作为导热层,金刚石的热导率为1100~1800W/(m·K),且铜的热导率为400W/(m·K),整个导热通道的结构具有高的热导率,能快速把热量传导到冷却水,由快速的水流带走热量,迅速降低聚光太阳能电池的温度。
另一方面采用金刚石作为绝缘材料,避免封装聚光太阳能电池需要另加绝缘层,避免绝缘层降低导热通道的热导率。
本发明的散热器能应用在聚光倍数1600倍以上的聚光太阳能电池上,其整体热导率高达400W/(m·K)以上,散热效果优于热导率为280 W/(m·K)的Al2O3陶瓷散热器,具有更高效的散热作用,使得聚光太阳能电池能在较高的聚光倍数下稳定工作且减少光电转换效率的下降。
附图说明
图1是太阳能电池及其一体化散热器的主要结构示意图;
图2是太阳能电池封装在一体化散热的俯视示意图。
标号说明
散热器10 聚光太阳能电池11
铜薄层12 银铜钛合金层13
金刚石膜14 银铜钛合金层15
正负电极绝缘通道16 铜底座17
冷却水通道18。
具体实施方式
如图1所示,本发明揭示的一种高聚光倍数太阳能电池的散热器10,由铜薄层12、银铜钛合金层13、金刚石膜14、银铜钛合金层15和铜底座16组成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的