[发明专利]硅麦克风的制造方法

权利要求书

1.一种制造硅麦克风的方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：

步骤1：提供一硅基底，硅基底表面上沉积第一绝缘层，在第一绝缘层上沉积振膜；

步骤2：在第一绝缘层和振膜上沉积一定厚度的氧化硅以作为支撑层，在该支撑层上沉积第二绝缘层；

步骤3：在所述第二绝缘层上沉积背板，在背板上刻蚀出贯穿背板的声孔；

步骤4：在硅基底和第一绝缘层上刻蚀出贯穿二者的背腔；

步骤5：通过声孔释放与振膜振动部分相对的支撑层以形成振动空间。

2.根据权利要求2所述的硅麦克风的制造方法，其特征在于：所述背板设有与振动空间相对的主体部、自主体部延伸而出并与支撑层固定连接的第一边缘部，所述支撑层沉积的厚度使得第一边缘部与主体部同处一个平面。

3.根据权利要求3所述的硅麦克风的制造方法，其特征在于：所述振膜和基底相互平行。

4.根据权利要求1至3任意一项所述的硅麦克风的制造方法，其特征在于：在支撑层上利用光刻形成若干凹槽，第二绝缘层沉积入凹槽并在朝向振膜的一侧形成突起。