[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一基板，包括一第一区及不同于该第一区的一第二区；

多个接合焊盘，位于该第一区上；以及

多个探针焊盘，位于该第二区上；

其中所述多个接合焊盘及所述多个探针焊盘分开，且其中至少一些所述接合焊盘与至少一些所述探针焊盘彼此电性耦接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该电性耦接的所述接合焊盘及所述探针焊盘以一对一的方式彼此接合。

3.如权利要求1所述的半导体装置，还包括多个内连线层，形成在该基板上，其中各个所述多个内连线层包括位于该第二区上的一金属线。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述接合焊盘具有不同于所述探针焊盘的一间距。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述接合焊盘包括至少两行的接合焊盘位于该第一区上；以及

所述探针焊盘包括至少两行的探针焊盘位于该第二区上。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一区及该第二区彼此不分开。

7.一种半导体装置的制造方法，包括：

在一基板上形成一内连线结构，该内连线结构具有多个金属层；

分别形成多个接合焊盘及多个探针焊盘在该内连线结构的一第一区及一第二区；

其中：

该第一区及该第二区彼此不重叠；以及

至少一个所述接合焊盘以一对一方式与至少一个所述探针焊盘电性耦接。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中形成该内连线结构及形成所述多个探针焊盘的步骤使得各个所述金属层具有至少一个金属线形成在该第二区。

9.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中：

所述接合焊盘具有一第一间隔；

所述探针焊盘具有一第二间隔；以及

该第一间隔不同于该第二间隔。

10.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中形成所述多个接合焊盘及所述多个探针焊盘的步骤，

形成一第一组接合焊盘及一第二组探针焊盘；

其中该第一组的各个所述接合焊盘与该第一组的其他接合焊盘对齐；以及

该第二组的各个所述探针焊盘与该第二组的其他探针焊盘对齐。