[发明专利]半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 201110130151.5 | 申请日： | 2011-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN102290351A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 大仓嘉之;森俊树 | 申请（专利权）人： | 富士通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/3105;H01L21/316 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;张志杰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件制造方法，包括：
通过化学气相沉积，在半导体衬底上形成包含硅、氧及碳的绝缘膜；
在形成所述绝缘膜后，对在350℃或低于350℃的温度下正在进行加热的所述绝缘膜进行UV固化；以及
在所述UV固化后，对所述绝缘膜进行氦等离子体处理。
2.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中：
所述绝缘膜为SiOC膜。
3.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中：
在所述UV固化中，对在230℃-350℃范围内的温度下正在进行加热的所述绝缘膜进行所述UV固化。
4.如权利要求2所述的半导体器件制造方法，其中：
在所述UV固化中，对在230℃-350℃范围内的温度下正在进行加热的所述绝缘膜进行所述UV固化。
5.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中：
在所述氦等离子体处理中，对在350℃或低于350℃的温度下正在进行加热的所述绝缘膜进行所述氦等离子体处理。
6.如权利要求2所述的半导体器件制造方法，其中：
在所述氦等离子体处理中，对在350℃或低于350℃的温度下正在进行加热的所述绝缘膜进行所述氦等离子体处理。
7.如权利要求3所述的半导体器件制造方法，其中：
在所述氦等离子体处理中，对在350℃或低于350℃的温度下正在进行加热的所述绝缘膜进行所述氦等离子体处理。
8.如权利要求4所述的半导体器件制造方法，其中：
在所述氦等离子体处理中，对在350℃或低于350℃的温度下正在进行加热的所述绝缘膜进行所述氦等离子体处理。
9.如权利要求5所述的半导体器件制造方法，其中：
在所述氦等离子体处理中，对在100℃-350℃范围内的温度下正在进行加热的所述绝缘膜进行所述氦等离子体处理。
10.如权利要求6所述的半导体器件制造方法，其中：
在所述氦等离子体处理中，对在100℃-350℃范围内的温度下正在进行加热的所述绝缘膜进行所述氦等离子体处理。
11.如权利要求7所述的半导体器件制造方法，其中：
在所述氦等离子体处理中，对在100℃-350℃范围内的温度下正在进行加热的所述绝缘膜进行所述氦等离子体处理。
12.如权利要求8所述的半导体器件制造方法，其中：
在所述氦等离子体处理中，对在100℃-350℃范围内的温度下正在进行加热的所述绝缘膜进行所述氦等离子体处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
