[发明专利]半导体激光装置和光学装置无效

专利信息
申请号: 201110129862.0 申请日: 2011-05-13
公开(公告)号: CN102255237A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 吉川秀树;林伸彦 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社
主分类号: H01S5/022 分类号: H01S5/022
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 激光 装置 光学
【权利要求书】:

1.一种半导体激光装置,其特征在于,包括:

半导体激光元件;和

将所述半导体激光元件密封的封装体,其中,

所述封装体包括:由树脂构成的基座主体;安装于所述基座主体的上表面的第一密封用部件;和安装于所述基座主体的前表面的具有透光性的第二密封用部件,

所述基座主体具有从所述上表面开口至所述前表面的开口部,

所述开口部的所述上表面侧由所述第一密封用部件密封,并且所述开口部的所述前表面侧由所述第二密封用部件密封。

2.如权利要求1所述的半导体激光装置,其特征在于:

所述第一密封用部件和所述第二密封用部件分别通过由树脂构成的密封剂安装于所述基座主体。

3.如权利要求2所述的半导体激光装置,其特征在于:

所述第一密封用部件和所述第二密封用部件通过所述由树脂构成的密封剂接合,由此将所述基座主体的所述开口部从所述上表面至所述前表面密封。

4.如权利要求1所述的半导体激光装置,其特征在于:

所述第一密封用部件的从所述上表面侧观看时的平面面积,形成得比所述开口部的所述上表面侧的开口面积大,

所述开口部的所述上表面被所述第一密封用部件覆盖。

5.如权利要求4所述的半导体激光装置,其特征在于:

所述基座主体,具有所述开口部地凹状地形成,

所述第二密封用部件配置成:将由所述基座主体的所述前表面侧的内侧面和密封所述基座主体的所述上表面侧的所述第一密封用部件的下表面包围的所述开口部的所述前表面侧密封。

6.如权利要求5所述的半导体激光装置,其特征在于:

所述第二密封用部件嵌入所述开口部的所述前表面侧的内侧面。

7.如权利要求5所述的半导体激光装置,其特征在于:

在所述封装体的内底面还具有载置所述半导体激光元件的金属板,

所述第二密封用部件配置成:在与所述金属板的所述前表面侧的前端面抵接的状态下,将所述开口区域密封。

8.如权利要求5所述的半导体激光装置,其特征在于:

所述第二密封用部件的从所述前表面侧观看时的平面面积,比所述开口部的所述前表面侧的开口面积大,

所述基座主体的所述前表面侧的表面和所述第一密封用部件的所述前表面侧的端面,被所述第二密封用部件覆盖。

9.如权利要求1所述的半导体激光装置,其特征在于:

所述开口部的所述前表面侧,沿着与所述半导体激光元件的出射方向和所述基座主体的厚度方向正交的方向,从所述基座主体的前表面的一个端部起切除至另一个端部,

所述第二密封用部件嵌入在所述基座主体的前表面的所述一个端部与所述另一个端部之间。

10.如权利要求9所述的半导体激光装置,其特征在于:

沿着与所述半导体激光元件的出射方向和所述基座主体的厚度方向正交的方向的所述开口部的宽度,在所述上表面侧和所述前表面侧大致相等。

11.如权利要求2所述的半导体激光装置,其特征在于:

所述密封剂沿着所述开口部的密封区域的外缘部以没有接缝的方式形成。

12.如权利要求11所述的半导体激光装置,其特征在于:

所述密封剂从所述开口部的密封区域至少露出到所述封装体的密封空间内。

13.如权利要求2所述的半导体激光装置,其特征在于:

所述密封剂由氟类树脂、环氧类树脂、乙烯-乙烯醇类树脂和硅橡胶类粘接材料的任一个构成。

14.如权利要求1所述的半导体激光装置,其特征在于:

所述基座主体从所述上表面侧看来具有向着所述前表面侧逐渐变细的外形形状。

15.如权利要求14所述的半导体激光装置,其特征在于:

所述第一密封用部件从所述上表面侧看来具有向着所述前表面侧逐渐变细的外形形状。

16.如权利要求2所述的半导体激光装置,其特征在于:

所述密封剂延伸设置到所述第一密封用部件的与所述基座主体接合的一侧的接合区域以外的表面上。

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