[发明专利]叠置P+-P结势垒控制肖特基二极管

权利要求书

1.一种叠置P⁺-P结势垒控制肖特基二极管，包括N⁺衬底区100)、N型漂移区(101)、叠置P⁺-P结构P⁺部分(102)、阳极电极(104)、阴极电极(105)、二氧化硅层106)、肖特基接触(107)、欧姆接触108)，其特征是：还包括叠置P⁺-P结构P部分(103)，叠置P⁺-P结构P⁺窗口部分(102)在叠置P⁺-P结构P窗口部分(103)上面。

2.根据权利要求1所述的叠置P⁺-P结势垒控制肖特基二极管，其特征是：所述叠置P⁺-P结构P⁺部分(102)窗口宽度比叠置P⁺-P结构P部分(103)窗口宽度宽。