[发明专利]一种用于改善薄膜制备工艺的匀气装置无效

专利信息
申请号: 201110128609.3 申请日: 2011-05-18
公开(公告)号: CN102787302A 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 刘宇;刘明;龙世兵;谢常青;胡媛 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C14/34;C23C14/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周国城
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 改善 薄膜 制备 工艺 装置
【权利要求书】:

1.一种用于改善薄膜制备工艺的匀气装置,其特征在于,该装置由进气管和匀气环构成,进气管和匀气环均由中空管制作而成,二者内部连通,连接处密封,且匀气环在其所在平面的表面开有气孔。

2.根据权利要求1所述的用于改善薄膜制备工艺的匀气装置,其特征在于,所述制作进气管和匀气环的中空管为不锈钢管,其外径为6毫米至15毫米,内径为4毫米至14毫米。

3.根据权利要求1所述的用于改善薄膜制备工艺的匀气装置,其特征在于,所述匀气环位于用于放置基片的反应台附近,气孔开在匀气环朝向基片的一侧。

4.根据权利要求1所述的用于改善薄膜制备工艺的匀气装置,其特征在于,所述匀气环的直径为用于放置基片的反应台直径的1.5倍至2倍。

5.根据权利要求1所述的用于改善薄膜制备工艺的匀气装置,其特征在于,所述气孔的直径为1毫米至3毫米。

6.根据权利要求1所述的用于改善薄膜制备工艺的匀气装置,其特征在于,所述气孔的轴线方向与反应台平面成45度至90度角,使反应气体集中且均匀分布于基片附近。

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