[发明专利]使用低能量研磨提供垂直磁记录换能器的方法和系统

权利要求书

1.一种制造磁记录换能器的方法，包括：

提供具有底部和比所述底部宽的顶部的主磁极；

在与所述主磁极的顶部的法线形成的角度以第一能量进行高能离子研磨，所述高能离子研磨去除所述主磁极的顶部的一部分，露出所述主磁极的顶部斜角表面；以及

在与所述顶部斜角表面形成的掠射角以第二能量进行低能离子研磨，所述掠射角度不大于十五度，所述第二能量低于所述第一能量；

沉积非磁性间隙。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述非磁性间隙上提供包裹屏蔽罩。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一能量是至少五百电子伏特。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一能量是至少七百电子伏特。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二能量是少于二百五十电子伏特。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第二能量是少于二百电子伏特。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第二能量是不超过一百电子伏特。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二能量比所述第一能量低至少三百电子伏特。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述掠射角是至少十度。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述角度是至少三十五度。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述角度不超过五十五度。

12.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在进行所述高能离子研磨之前提供远离空气轴承表面位置的掩膜。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括

在进行所述高能离子研磨之后和进行所述低能离子研磨之前去除所述掩膜。

14.一种制造磁记录换能器的方法，包括：

提供具有底部和比所述底部宽的顶部的主磁极；

在所述主磁极的顶部上提供斜角帽层，所述斜角帽层是非磁性的；

在所述斜角帽层上提供底部防反射涂层即BARC；

在所述BARC上远离空气轴承表面即ABS位置处提供掩膜；

在提供所述掩膜之后在与所述主磁极的顶部的法线形成的一角度以第一能量进行高能离子研磨，所述高能离子研磨去除所述主磁极的顶部接近所述ABS的一部分，所述BARC的接近所述ABS的一部分和所述斜角帽层的接近所述ABS的一部分，所述高能离子掩膜露出所述主磁极的顶部斜角表面，所述第一能量大于七百电子伏特，所述角度至少为三十五度并且不大于五十五度；

在所述高能离子研磨之后去除所述掩膜和所述BARC；

在与所述顶部斜角表面形成的掠射角以第二能量进行低能离子研磨，所述掠射角至少是十度并且不大于十五度，所述第二能量低于二百电子伏特；

沉积非磁性间隙；以及

在所述非磁性间隙上提供包裹屏蔽罩。

15.一种具有空气轴承表面的磁记录换能器，包括：

主磁极，其具有底部、比所述底部宽的顶部以及接近所述空气轴承表面的顶部斜角；

在所述顶部斜角上并且厚度少于二十埃的非晶体层；

非磁性间隙，所述非磁性间隙的至少一部分驻留在所述顶部斜角上；以及

位于所述非磁性间隙上的包裹屏蔽罩。

16.根据权利要求15所述的磁记录换能器，其中所述非晶体层的厚度不超过十五埃。