[发明专利]以动态门槛进行区块管理的方法及存储装置及控制器

说明书

技术领域

本发明涉及快闪存储器(Flash Memory)的存取(Access)，更具体地说，涉及一种用来进行区块管理的方法以及相关的存储装置及其控制器。

背景技术

近年来由于快闪存储器的技术不断地发展，各种便携式存储装置(例如：符合SD/MMC、CF、MS、XD标准的记忆卡)或具备快闪存储器的固态硬盘(Solid State Drive，SSD)被广泛地实施于诸多应用中。因此，这些存储装置中的快闪存储器的存取控制遂成为相当热门的议题。

以常用的NAND型快闪存储器而言，其主要可区分为单阶细胞(Single Level Cell，SLC)与多阶细胞(Multiple Level Cell，MLC)两大类的快闪存储器。单阶细胞快闪存储器中的每个被当作记忆单元的晶体管只有两种电荷值，分别用来表示逻辑值0与逻辑值1。另外，多阶细胞快闪存储器中的每个被当作记忆单元的晶体管的储存能力则被充分利用，采用较高的电压来驱动，以通过不同级别的电压在一个晶体管中记录两组(或以上)二进制位信息(00、01、11、10)；理论上，多阶细胞快闪存储器的记录密度可以达到单阶细胞快闪存储器的记录密度的两倍，这对于曾经在发展过程中遇到瓶颈的NAND型快闪存储器的相关产业而言，是非常好的消息。

相较于单阶细胞快闪存储器，由于多阶细胞快闪存储器的价格较便宜，并且在有限的空间里可提供较大的容量，故多阶细胞快闪存储器很快地成为市面上的便携式存储装置竞相采用的主流。然而，多阶细胞快闪存储器的不稳定性所导致的问题也一一浮现。为了确保存储装置对快闪存储器的存取控制能符合相关规范，快闪存储器的控制器通常备有某些管理机制以妥善地管理数据的存取。

依据相关技术，有了这些管理机制的存储装置还是有不足之处。例如：在该存储装置被设计成具有较高储存容量及/或较高弹性的状况下，所述管理机制可能变得非常复杂，这可能会导致硬件资源的芯片面积以及相关成本增加。因此，需要一种新颖的方法来进行区块管理，以增进具备快闪存储器的存储装置的存取效能。

发明内容

因此本发明所要解决的技术问题是提供一种用来进行区块管理的方法以及相关的存储装置及其控制器，以解决上述问题。

本发明所要解决的另一技术问题是提供一种用来进行区块管理的方法以及相关的存储装置及其控制器，以增进该存储装置的存取效能并且控制该存储装置以适应性的方式来运作。

本发明的较佳实施例中提供一种用来进行区块管理的方法，该方法应用于一快闪存储器(Flash Memory)的控制器，该快闪存储器包含多个区块，该方法包含有：依据至少一条件调整一动态门槛；以及比较该多个区块中的一特定区块的一有效/无效页数以及该动态门槛，以判断是否擦除该特定区块。

本发明于提供上述方法的同时，也对应地提供一种存储装置，其包含有：一快闪存储器，该快闪存储器包含多个区块；以及一控制器，用来存取(Access)该快闪存储器以及管理该多个区块。另外，该控制器依据至少一条件调整一动态门槛。此外，该控制器比较该多个区块中的一特定区块的一有效/无效页数以及该动态门槛，以判断是否擦除该特定区块。

本发明于提供上述方法的同时，也对应地提供一种存储装置的控制器，该控制器用来存取一快闪存储器，该快闪存储器包含多个区块，该控制器包含有：一只读存储器(Read Only Memory，ROM)，用来储存一程序码；以及一微处理器，用来执行该程序码以控制对该快闪存储器的存取以及管理该多个区块。另外，在该微处理器的控制下，该控制器依据至少一条件调整一动态门槛，并且比较该多个区块中的一特定区块的一有效/无效页数以及该动态门槛，以判断是否擦除该特定区块。

本发明的好处之一是，通过调整该动态门槛，本发明可妥善地进行区块管理，增进该存储装置的效能。于是，通过调整该动态门槛，该存储装置能以适应性的方式来运作。

附图说明

图1为依据本发明一第一实施例的一种存储装置的示意图。

图2为依据本发明一实施例的一种用来进行区块管理的方法的流程图。

图3A至图3C为图2所示的方法于某些实施例中的实施细节。

其中，附图标记说明如下：

100     存储装置

110     存储器控制器

112     微处理器

112C    程序码

112M    只读存储器

114     控制逻辑