[发明专利]Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体晶片及其清洗方法

权利要求书

1.一种清洗III-V族化合物半导体晶片的方法，包括以下步骤：

(1)用一种浓酸于不低于50℃处理晶片；

(2)用一种浓酸于不高于30℃处理晶片；

(3)用高纯水洗涤晶片；

(4)用一种有机酸溶液处理晶片；

(5)用高纯水洗涤晶片；

(6)用一种NH₄OH-H₂O₂溶液处理晶片；

(7)用高纯水洗涤晶片；以及

(8)干燥所得晶片。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于，第(1)步使用的晶片是已经完成机械化学抛光和化学精细抛光的晶片，其表面微观粗糙度Ra≤0.5nm。

3.根据权利要求1的方法，其特征在于，步骤(1)-(2)使用的所述浓酸为无机酸，其浓度为其相应温度时的饱和浓度的60％以上。

4.根据权利要求1的方法，其特征在于，步骤(1)的酸的浓度C₁、处理温度T₁和处理时间P₁与步骤(2)的酸的浓度C₂、处理温度T₂和处理时间P₂之间满足以下关系：

C₂×P₂×(T₂+273.15)≤C₁×P₁×(T₁+273.15)

≤3×C₂×P₂×(T₂+273.15)，

以上各式中，浓度单位为重量百分比浓度，处理温度为摄氏度，处理时间为秒。

5.根据权利要求1的方法，其特征在于，步骤(4)所用的有机酸为有机多元酸。

6.根据权利要求1的方法，其特征在于，步骤(1)的酸的浓度C₁、处理温度T₁和处理时间P₁与步骤(2)的酸的浓度C₂、处理温度T₂和处理时间P₂以及与步骤(4)中酸的浓度C₄、步骤(4)的处理温度T₄和处理时间P₄满足以下关系：

1/10[C₂×P₂×(T₂+273.15)+C₁×P₁×(T₁+273.15)]

≤C₄×P₄×(T₄+273.15)

≤1/2[C₂×P₂×(T₂+273.15)+C₁×P₁×(T₁+273.15)]，

以上各式中，浓度单位为重量百分比浓度，处理温度为摄氏度，处理时间为秒。

7.根据权利要求1的方法，其特征在于，步骤(6)中氨水的浓度C₆、处理温度T₆和处理时间P₆满足以下关系：

50≤C₆×P₆×(T₆+273.15)≤1,000

上式中，浓度单位为重量百分比浓度，处理温度为摄氏度，处理时间为秒。

8.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述洗III-V族化合物半导体晶片是磷化铟半导体晶片。

9.一种III-V族化合物半导体晶片，其特征在于，每平方厘米晶片表面面积中大于0.11μm²的颗粒≤0.5颗，晶片表面的金属残留Cu≤10×10¹⁰原子/cm²且Zn≤10×10¹⁰原子/cm²，表面平均白雾值≤1.0ppm。

10.根据权利要求9的III-V族化合物半导体晶片，其特征在于，所述III-V族化合物半导体晶片为磷化铟晶片。