[发明专利]一种过流保护电路及灯具

权利要求书

1.一种过流保护电路，连接在电源和用电负载之间，其特征在于，所述过流保护电路包括：

稳压管D1、分压电阻R1、分压电阻R2、分压电阻R3、分压电阻R4、分压电阻R5、采样电阻R6、P型MOS管Q2、第一开关管和第二开关管；

所述P型MOS管Q2的源极为过流保护电路的输入端接所述电源正极，所述P型MOS管Q2的漏极为过流保护电路的输出端接用电负载，所述分压电阻R1的第一端接电源正极，所述分压电阻R1的第二端通过分压电阻R2接地，所述第一开关管的控制端接分压电阻R1和分压电阻R2的公共连接端，所述第一开关管的低电位端接地，所述第一开关管的高电位端接P型MOS管Q2的栅极，所述分压电阻R3连接在电源正极与第一开关管的高电位端之间，所述采样电阻R6的第一端接用电负载，所述采样电阻R6的第二端接地，所述稳压管D1的阴极接采样电阻R6的第一端，所述稳压管D1的阳极接分压电阻R5的第一端，所述分压电阻R5的第二端通过分压电阻R4接地，所述第二开关管的控制端接分压电阻R4和分压电阻R5的公共连接端，所述第二开关管的低电位端接地，所述第二开关管的高电位端接第一开关管的控制端。

2.如权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于，所述第一开关管采用三极管Q1，所述三极管Q1的基极为第一开关管的控制端，所述三极管Q1的集电极为第一开关管的高电位端，所述三极管Q1的发射极为第一开关管的低电位端。

3.如权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于，所述第一开关管采用N型MOS管Q4，所述N型MOS管Q4的栅极为第一开关管的控制端，所述N型MOS管Q4的漏极为第一开关管的高电位端，所述N型MOS管Q4的源极为第一开关管的低电位端。

4.如权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于，所述第二开关管采用三极管Q3，所述三极管Q3的基极为第二开关管的控制端，所述三极管Q3的集电极为第二开关管的高电位端，所述三极管Q3的发射极为第二开关管的低电位端。

5.如权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于，所述第二开关管采用N型MOS管Q5，所述N型MOS管Q5的栅极为第二开关管的控制端，所述N型MOS管Q5的漏极为第二开关管的高电位端，所述N型MOS管Q5的源极为第二开关管的低电位端。

6.一种灯具，包括连接在电源和灯具电路之间的过流保护电路，其特征在于，所述过流保护电路包括：

稳压管D1、分压电阻R1、分压电阻R2、分压电阻R3、分压电阻R4、分压电阻R5、采样电阻R6、P型MOS管Q2、第一开关管和第二开关管；

所述P型MOS管Q2的源极为过流保护电路的输入端接所述电源正极，所述P型MOS管Q2的漏极为过流保护电路的输出端接用电负载，所述分压电阻R1的第一端接电源正极，所述分压电阻R1的第二端通过分压电阻R2接地，所述第一开关管的控制端接分压电阻R1和分压电阻R2的公共连接端，所述第一开关管的低电位端接地，所述第一开关管的高电位端接P型MOS管Q2的栅极，所述分压电阻R3连接在电源正极与第一开关管的高电位端之间，所述采样电阻R6的第一端接用电负载，所述采样电阻R6的第二端接地，所述稳压管D1的阴极接采样电阻R6的第一端，所述稳压管D1的阳极接分压电阻R5的第一端，所述分压电阻R5的第二端通过分压电阻R4接地，所述第二开关管的控制端接分压电阻R4和分压电阻R5的公共连接端，所述第二开关管的低电位端接地，所述第二开关管的高电位端接第一开关管的控制端。

7.如权利要求6所述的灯具，其特征在于，所述第一开关管采用三极管Q1，所述三极管Q1的基极为第一开关管的控制端，所述三极管Q1的集电极为第一开关管的高电位端，所述三极管Q1的发射极为第一开关管的低电位端。

8.如权利要求6所述的灯具，其特征在于，所述第一开关管采用N型MOS管Q4，所述N型MOS管Q4的栅极为第一开关管的控制端，所述N型MOS管Q4的漏极为第一开关管的高电位端，所述N型MOS管Q4的源极为第一开关管的低电位端。

9.如权利要求6所述的灯具，其特征在于，所述第二开关管采用三极管Q3，所述三极管Q3的基极为第二开关管的控制端，所述三极管Q3的集电极为第二开关管的高电位端，所述三极管Q3的发射极为第二开关管的低电位端。

10.如权利要求6所述的灯具，其特征在于，所述第二开关管采用N型MOS管Q5，所述N型MOS管Q5的栅极为第二开关管的控制端，所述N型MOS管Q5的漏极为第二开关管的高电位端，所述N型MOS管Q5的源极为第二开关管的低电位端。