[发明专利]半导体封装用环氧树脂组合物及利用其的半导体装置有效
| 申请号: | 201110123772.0 | 申请日: | 2011-05-10 |
| 公开(公告)号: | CN102241870A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
| 发明(设计)人: | 小林弘典 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
| 主分类号: | C08L63/00 | 分类号: | C08L63/00;C08K3/36;C08G59/50;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 杨海荣;穆德骏 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 环氧树脂 组合 利用 装置 | ||
技术领域
本发明涉及半导体封装用环氧树脂组合物,其在对已进行钝化处理的半导体装置进行树脂封装时,不仅能够抑制钝化膜的裂纹产生而且能够以优异成形性实现树脂封装。
背景技术
通常,通过使用封装树脂对受到称为钝化膜的表面保护膜保护的半导体元件进行封装来制造半导体装置,在所述封装树脂中,将诸如二氧化硅粉末的无机填料与热固性树脂混合并将其分散在热固性树脂中。
可能存在如下情况:因在进行树脂封装时产生的封装树脂层的热应力而在钝化膜上产生裂纹。为了降低热应力,已经进行了研究以将作为应力降低剂的柔性材料如聚硅氧烷化合物添加到封装树脂中(参见专利文献1和2)。
专利文献1:JP-A-8-151433
专利文献2:JP-A-2002-194064
发明内容
然而,在其中需要封装树脂层具有导热性的半导体装置如功率晶体管的情况下,随封装树脂层本身的厚度的增加,必须增加封装树脂层中具有高导热性的结晶二氧化硅粉末的含量。因此,增加了封装树脂层的线性膨胀系数。为此,在封装树脂层上产生较大热应力,使得难以通过仅使用应力降低剂来充分降低热应力。
同样,通过加入应力降低剂,存在引起成形性中的问题如树脂组合物的流动性降低和有缺陷的外观的趋势。
在这种情况下完成了本发明,其目的在于提供半导体封装用环氧树脂组合物,所述环氧树脂组合物不仅能够在保持导热性的同时抑制钝化膜的裂纹产生而且能够以优异的成形性实现树脂封装。
换句话说,本发明涉及如下项目(1)~(6)。
(1)一种半导体封装用环氧树脂组合物,其包含如下成分A~E:
A:环氧树脂;
B:含有如下成分b1和b2的聚硅氧烷混合物,所述成分b1和b2的重量比根据b1/b2为5/95到25/75;
b1:在两端具有氨基且具有600~900的重均分子量的聚硅氧烷化合物,且
b2:在两端具有氨基且具有10,000~20,000的重均分子量的聚硅氧烷化合物;
C:酚醛树脂;
D:固化促进剂;和
E:含有如下成分e1和e2的无机填料:
e1:结晶二氧化硅,和
e2:熔融二氧化硅。
(2)一种半导体封装用环氧树脂组合物,其包含通过使如下成分A与如下成分B反应得到的聚硅氧烷改性的环氧树脂;以及如下成分C~E:
A:环氧树脂;
B:含有如下成分b1和b2的聚硅氧烷混合物,所述成分b1和b2的重量比按照b1/b2为5/95到25/75;
b1:在两端具有氨基且具有600~900的重均分子量的聚硅氧烷化合物,且
b2:在两端具有氨基且具有10,000~20,000的重均分子量的聚硅氧烷化合物;
C:酚醛树脂;
D:固化促进剂;和
E:含有如下成分e1和e2的无机填料:
e1:结晶二氧化硅;和
e2:熔融二氧化硅。
(3)根据(1)或(2)所述的半导体封装用环氧树脂组合物,其中所述成分E的含量相对于全部环氧树脂组合物为70~93重量%。
(4)根据(1)~(3)中任一项所述的半导体封装用环氧树脂组合物,其中所述成分e1与e2的重量比按照e1/e2为45/55到75/25。
(5)根据(1)~(4)中任一项所述的半导体封装用环氧树脂组合物,其进一步包含如下成分F:
F:含有如下成分f1和f2的蜡混合物:
f1:酰胺蜡,和
f2:酯蜡。
(6)一种半导体装置,其包含用如(1)~(5)中任一项所述的半导体封装用环氧树脂组合物封装的半导体元件。
本发明的半导体封装用环氧树脂组合物降低在树脂封装时产生的热应力,使得可以在保持导热性的同时抑制钝化膜的裂纹产生并且可以以优异的成形性实现树脂封装。
附图说明
图1为显示用于脱模性的评价方法的环氧树脂组合物固化材料的成形方法的说明图。
图2为显示作为脱模性的评价方法的脱模负荷(release load)的测量方法的说明图。
具体实施方式
接下来,对用于进行本发明的实施方式进行详细说明。
本发明涉及半导体封装用环氧树脂,其包含如下成分A~E:
A:环氧树脂;
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