[发明专利]衬底结构及其制作方法

权利要求书

1.一种衬底结构，其特征在于，包括：

相对设置的第一衬底和第二衬底；

所述第一衬底的第一表面朝向第二衬底的第二表面，所述第一表面依次设置有导体互连层和键合层；

所述键合层将第一衬底及导体互连层与第二衬底连接。

2.根据权利要求1所述的衬底结构，其特征在于，所述第一衬底包括单晶半导体或单晶化合物半导体。

3.根据权利要求1所述的衬底结构，其特征在于，所述导体互连层至少包括一层导电层。

4.根据权利要求1所述的衬底结构，其特征在于，所述键合层为绝缘层或导电层。

5.根据权利要求1或3所述的衬底结构，其特征在于，所述键合层为导电层，所述导电层为屏蔽功能层。

6.根据权利要求1所述的衬底结构，其特征在于，所述键合层为绝缘层，所述导体互连层至少包括两层导电层。

7.根据权利要求1所述的衬底结构，其特征在于，还包括：贯通第一衬底的隔离区，多个隔离区将第一衬底分隔成相互绝缘的区域。

8.根据权利要求1所述的衬底结构，其特征在于，还包括：位于所述第二衬底中的、由第二衬底与键合层组成的第一空腔。

9.根据权利要求1或8所述的衬底结构，其特征在于，还包括：位于所述第一表面和所述第二表面之间的第二空腔。

10.根据权利要求9所述的衬底结构，其特征在于，还包括：由第一空腔贯通第二空腔组成的第三空腔。

11.根据权利要求1所述的衬底结构，其特征在于，所述第一衬底下表面具有外延层或掺杂层，所述外延层或掺杂层用于形成器件的部分功能层。

12.根据权利要求1或11所述的衬底结构，其特征在于，还包括：贯穿所述第一衬底的引出通孔，所述引出通孔外壁具有绝缘隔离层，所述引出通孔用于向外电电引出导体互连层。

13.一种半导体衬底结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一衬底；

在所述第一衬底的第一表面上依次形成导体互连层以及键合层；

提供第二衬底；

通过键合层将所述第一衬底及导体互连层连接至第二衬底的第二表面，以将第一衬底及导体互连层固定于第二衬底。

14.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，形成所述导体互连层的步骤包括：在所述第一表面上形成至少包括一层导电层的导体互连层。

15.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述键合层为绝缘层或导电层。

16.根据权利要求13或14所述的制造方法，其特征在于，所述键合层为导电层，所述导电层为屏蔽功能层。

17.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述键合层为绝缘层，形成所述导体互连层的步骤为：在所述第一表面上形成至少包括两层导电层的导体互连层。

18.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，在连接第二衬底后，还包括步骤：从与第一表面相对的表面减薄及抛光所述第一衬底。

19.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，在提供第一衬底时，还包括：从第一衬底的第一表面在第一衬底内形成隔离区；以及在连接第二衬底后，还包括：从与第一表面相对的表面减薄及抛光第一衬底，暴露所述隔离区，以使隔离区贯通第一衬底，多个隔离区将第一衬底分隔成相互绝缘的区域。

20.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，在提供第二衬底时，还包括：从第二衬底的第二表面在所述第二衬底内形成第一开口；连接第二衬底的步骤具体为：通过键合层将所述第一衬底及导体互连层连接至第二表面，以使第一开口与键合层形成第一空腔，并将第一衬底及导体互连层固定于第二衬底。