[发明专利]大功率IGBT平板压接式封装结构有效
| 申请号： | 201110120979.2 | 申请日： | 2011-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN102194865A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 陈国贤;徐宏伟;陈蓓璐 | 申请（专利权）人： | 江阴市赛英电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/08;H01L23/48 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人： | 唐纫兰;曾丹 |
| 地址： | 214432 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 大功率 igbt 平板 压接式 封装 结构 | ||
1.一种大功率IGBT平板压接式封装结构，包含有管壳（1）和管芯（2），所述管壳（1）包含有阴极电极（1-1）、阴极法兰（1-2）、阳极法兰（1-3）、瓷环（1-4）、阳极电极（1-5）、阳极密封圈（1-6）和门极引线管（1-7），其特征在于：所述管芯（2）包含塑料模架盘（2-1）、IGBT芯片单元（2-2）、门极引出板（2-3）和下钼片（2-4），所述塑料模架盘（2-1）和门极引出板（2-2）上均设置有通孔，所述IGBT芯片单元（2-2）插入塑料模架盘（2-1）的通孔中，所述门极引出板（2-3）盖置于IGBT芯片单元（2-2）上，所述门极引出板（2-3）与门极引线管（1-7）相固定，所述下钼片（2-4）设置于塑料模架盘（2-1）的底部，其下表面与阳极电极（1-5）相接触；所述IGBT芯片单元（2-2）包括门极针（2-2-1）、电极组块（2-2-2）、上钼片（2-2-3）和IGBT芯片（2-2-4），所述门极针（2-2-1）插置于塑料模架盘（2-1）中，其下端与IGBT芯片（2-2-4）接触，上端与门极引出板（2-3）接触，在所述塑料模架盘（2-1）的通孔内电极组块（2-2-2）、上钼片（2-2-3）和IGBT芯片（2-2-4）自上到下依次压接，所述电极组块（2-2-2）的上表面与阴极电极（1-1）接触，所述IGBT芯片（2-2-4）的下表面与下钼片（2-4）接触。
2.根据权利要求1所述的大功率IGBT平板压接式封装结构，其特征在于：所述门极针（2-2-1）是一个弹性元件。
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