[发明专利]对高压集成电路中的反熔丝元件进行编程的方法和装置

权利要求书

1.一种用于对功率集成电路(IC)器件的反熔丝存储器块进行编程的方法，包括：

将第一电压施加至所述功率IC的第一管脚，所述第一管脚被连接至高压输出场效应晶体管(HVFET)的漏极，并且还被连接至抽头晶体管器件的第一终端，当施加至所述第一管脚的外部电压超出所述抽头晶体管器件的夹断电压时，在第二终端处提供基本上恒定的抽头电压，所述第一电压基本上小于所述夹断电压；

接通与所述反熔丝存储器块的选定的反熔丝相关联的调配MOSFET，所述选定的反熔丝包括由介电层分隔开的第一电容性板和第二电容性板，所述第一电容性板被连接至所述反熔丝存储器块的共用节点，所述第二电容性板被连接至所述调配MOSFET的漏极；

施加写信号，所述写信号使得所述调配MOSFET的源极通过低阻抗被短路至地；

将所述抽头晶体管器件的第二终端连接至所述共用节点；

将基本上高于所述第一电压的第二电压施加至所述第一管脚，以使得编程电压被施加至所述选定的反熔丝的第一电容性板，所述编程电压足够高，以使得流过所述选定的反熔丝的电流足以破坏所述介电层的至少一部分，从而将所述第一电容性板和所述第二电容性板电气短路。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二电压大于所述夹断电压，并且所述编程电压基本上等于所述抽头电压。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述写信号被施加至低压场效应晶体管(LVFET)的栅极，所述LVFET的漏极被连接至所述调配MOSFET的源极，所述LVFET的源极被连接至地。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述调配MOSFET具有超出所述抽头电压的击穿电压。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：断开所述反熔丝存储器块中除了所述选定的反熔丝以外的所有其他反熔丝。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：对跨越所述选定的反熔丝的编程电压进行箝位。

7.一种用于对功率集成电路(IC)器件的反熔丝存储器块进行编程的方法，包括：

将外部施加的电压施加至所述功率IC的第一管脚，所述第一管脚被连接至高压输出场效应晶体管(HVFET)的漏极，并且还被连接至抽头晶体管器件的第一终端，当施加至所述第一管脚的外部电压超出所述抽头晶体管器件的夹断电压时，在第二终端处提供基本上恒定的抽头电压，所述第一电压基本上小于所述夹断电压；

接通隔离晶体管元件，以将所述外部施加的高压连接至所述反熔丝存储器块的选定的反熔丝元件，所述选定的反熔丝包括由介电层分隔开的第一电容性板和第二电容性板，所述第一电容性板被连接至所述反熔丝存储器块的共用节点；

接通与所述选定的反熔丝元件连接的读/写元件，从而将所述选定的反熔丝元件的第二板连接至地；

将所述抽头晶体管器件的第二终端连接至所述共用节点；

将基本上高于所述第一电压的脉冲电压施加至所述第一管脚，以使得编程电压被施加至所述选定的反熔丝的第一电容性板，所述编程电压足够高，以使得流过所述选定的反熔丝的电流足以破坏所述介电层的至少一部分，从而将所述第一电容性板和所述第二电容性板电气短路。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述脉冲电压大于所述夹断电压，并且所述编程电压基本上等于所述抽头电压。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述读/写元件包括低压场效应晶体管(LVFET)，所述LVFET的漏极被连接至所述调配MOSFET的源极，并且所述LVFET的源极被连接至地。

10.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：断开与所述反熔丝存储器块中除了所述选定的反熔丝以外的所有其他反熔丝相关联的读/写元件。

11.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：对跨越所述选定的反熔丝的编程电压进行箝位。