[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201110117418.7 申请日: 2006-11-21
公开(公告)号: CN102222464A 公开(公告)日: 2011-10-19
发明(设计)人: 木村肇 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 屠长存
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

晶体管;

第一开关,其中所述晶体管的栅极电连接到所述第一开关的一端;

第二开关,其中所述晶体管的栅极电连接到所述第二开关的一端;

电连接到所述晶体管的源极和漏极中的一个的电极;以及

电容器;

其中所述电容器的第一端电连接到所述电极以及所述晶体管的源极和漏极中的所述一个,并且

其中所述电容器的第二端电连接到所述晶体管的栅极。

2.如权利要求1所述的半导体器件,

其中第一开关是第二晶体管,所述第一开关的所述一端是所述第二晶体管的源极和漏极中的一个,并且

其中第二开关是第三晶体管,所述第二开关的所述一端是所述第三晶体管的源极和漏极中的一个。

3.如权利要求1所述的半导体器件,

其中所述第二开关的另一端电连接到第一布线,并且

其中所述晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到第二布线。

4.如权利要求1所述的半导体器件,还包括第三开关,

其中所述晶体管的栅极通过所述第三开关电连接到所述电容器的第二端,并且

其中所述第三开关的一端电连接到所述电容器的第二端和所述第二开关的所述一端。

5.如权利要求1-4中任何一项所述的半导体器件,其中所述第一开关、所述第二开关以及所述晶体管中的每一个都是N沟道晶体管。

6.如权利要求1-3中任何一项所述的半导体器件,还包括第三开关,

其中所述晶体管的栅极通过所述第三开关电连接到所述电容器的第二端,并且

其中所述第三开关的一端电连接到所述晶体管的栅极和所述第二开关的所述一端。

7.如权利要求1-3中任何一项所述的半导体器件,还包括第三开关和布线,

其中所述晶体管的源极和漏极中的另一个通过所述第三开关电连接到所述布线。

8.如权利要求1-3中任何一项所述的半导体器件,还包括第三开关,其中所述晶体管的源极和漏极中的所述一个通过所述第三开关电连接到所述电极和所述电容器的第一端。

9.如权利要求1所述的半导体器件,还包括第三开关,

其中第三开关的第一端电连接到所述电容器的第一端、所述电极以及所述晶体管的所述源极和漏极中的所述一个,并且

其中所述第三开关的第二端电连接到布线。

10.如权利要求1或4所述的半导体器件,还包括整流器元件,

其中所述整流器元件的第一端电连接到所述电容器的第一端、所述电极以及所述晶体管的所述源极和漏极中的所述一个,并且

其中所述整流器元件的第二端电连接到布线。

11.如权利要求4所述的半导体器件,还包括第四开关,其中所述第四开关的第一端电连接到所述电容器的第一端、所述电极以及所述晶体管的所述源极和漏极中的所述一个,并且

其中所述第四开关的第二端电连接到布线。

12.如权利要求1或2所述的半导体器件,其中所述晶体管具有多栅结构,其中两个晶体管被串联。

13.如权利要求1或4所述的半导体器件,其中所述电极是EL元件的电极。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110117418.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top