[发明专利]应用于MOSFET电学仿真的BSIM4应力模型

权利要求书

1.一种应用于MOSFET电学仿真的BSIM4 应力模型，其特征在于，在标准BSIM4 模型的基础上，引入了产生应力的版图参量作为实体参数，所述版图参量的值为设计的版图尺寸，包括相邻PC的间距、dummy PC个数、STI与PC间距、Nwell与PC间距、Nwell与OD边界间距；增加了版图参数和影响系数，所述版图参数为表示各版图参量有效值的拟合参数，所述影响系数为表示各版图参量对BSIM4模型基本参数Vth0和μ0影响程度的拟合参数；以及提供根据所述版图参量确定晶体管饱和阈值电压V_tsat和饱和漏极电流I_dsat的变化特性的方法：在所述标准BSIM4 模型的基础上考虑所述版图参量对零衬偏下长沟道器件阈值电压Vth0和低电场下迁移率μ0的影响；重新定义所述零衬偏下长沟道器件阈值电压Vth0和e所述低电场下迁移率μ0。

2.如权利要求1所述应用于MOSFET电学仿真的BSIM4 应力模型，其特征在于，所述实体参数是引入应力的版图参量，包括：相邻PC的间距pc，dummy PC的个数pcdum，STI与PC的间距sa、sb，Nwell与PC的间距nwpc1、nwpc2，Nwell与OD边界的间距nrx1、nrx2；所述间距为版图上的间距；所述个数为版图上的个数。

3.如权利要求2所述应用于MOSFET电学仿真的BSIM4 应力模型，其特征在于，所述的版图参数包括：相邻PC的有效间距pceff，dummy PC的有效个数dum_eff，STI与PC的有效间距saeff、sbeff，Nwell与PC的有效间距nwpc1eff、nwpc2eff，Nwell与OD边界的有效间距nrx1eff、nrx2eff。

4.如权利要求2所述应用于MOSFET电学仿真的BSIM4 应力模型，其特征在于，所述影响系数包括：表征相邻PC的间距 pc及dummy PC个数pcdum对所述Vth0和μ0影响程度的参数lkvth0_pc、wkvth0_pc、pkvth0_pc、Kvth0_pc、lku0_pc、wku0_pc、pku0_pc、和Ku0_pc ；表征STI与PC间距sa、sb对所述Vth0和μ0影响程度的参数Kvth0_sti、Ku0_sti ；表征Nwell与PC间距nwpc1、nwpc2对所述Vth0和μ0影响程度的参数Kvth0_nwpc、Ku0_nwpc；表征Nwell与OD边界的间距nrx1、nrx2对所述Vth0和μ0影响程度的参数Kvth0_nrx、Ku0_nrx。

5.如权利要求4所述应用于MOSFET电学仿真的BSIM4 应力模型，其特征在于，所述确定V_tsat和I_dsat变化特性的方法中还包括由所述实体参数、所述版图参数和所述影响系数的倒数、幂函数等运算而产生的第一中间变量Kstress_vth0_pc、Kstress_u0_pc、invpc、invsa、invsb、invnwpc1、invnwpc2、invnrx1、invnrx2、invpceff、invsaeff、invsbeff、invnwpc1eff、invnwpc2eff、invnrx1eff、invnrx2eff，参与到Vth0和μ0的表达。

6.如权利要求5所述应用于MOSFET电学仿真的BSIM4 应力模型，其特征在于，相邻PC的间距pc，dummy PC的个数pcdum，STI与PC 的间距sa、sb，Nwell与PC的间距nwpc1、nwpc2，Nwell与OD边界的间距nrx1、nrx2参与以下运算，获得所述第一中间变量invpc、invsa、invsb、invnwpc1、invnwpc2、invnrx1、invnrx2：

            

            

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