[发明专利]一种氮化物LED结构及其制备方法

权利要求书

1.一种氮化物LED结构，至少包括N型电子注入层、P型空穴注入层以及夹在所述N型电子注入层与所述P型空穴注入层之间的多量子阱有源层，且所述多量子阱有源层与所述P型空穴注入层之间设置有一电子阻挡层，其特征在于，所述多量子阱有源层与所述电子阻挡层之间还设置有多个周期的P型掺杂的InGaN/GaN超晶格结构。

2.如权利要求1所述的氮化物LED结构，其特征在于，所述P型掺杂的InGaN/GaN超晶格结构的掺杂方式为只对InGaN进行P型掺杂。

3.如权利要求1所述的氮化物LED结构，其特征在于，所述P型掺杂的InGaN/GaN超晶格结构的掺杂方式为只对GaN进行P型掺杂。

4.如权利要求1所述的氮化物LED结构，其特征在于，所述P型掺杂的InGaN/GaN超晶格结构的掺杂方式为对InGaN及GaN均进行P型掺杂。

5.如权利要求1至4任一项所述的氮化物LED结构，其特征在于，所述P型掺杂采用的杂质原子为Mg或Zn。

6.如权利要求5所述的氮化物LED结构，其特征在于，所述N型电子注入层、P型空穴注入层、多量子阱有源层及电子阻挡层均由Al_xGa_yIn_1-x-yN组成，其中，0＜x＜1，0＜x+y＜1。

7.如权利要求6所述的氮化物LED结构，其特征在于，所述P型掺杂的InGaN/GaN超晶格结构中的InGaN的禁带宽度大于所述多量子阱有源层中的量子阱的势阱的禁带宽度。

8.如权利要求7所述的氮化物LED结构，其特征在于，所述N型电子注入层的禁带宽度、P型空穴注入层的禁带宽度以及多量子阱有源层中的量子阱的势垒的禁带宽度均大于所述多量子阱有源层中的量子阱的势阱的禁带宽度。

9.如权利要求1所述的氮化物LED结构，其特征在于，该氮化物LED结构还包括衬底、在所述衬底上依次生长的低温缓冲层以及不掺杂的氮化物层，所述不掺杂的氮化物层上依次形成有所述N型电子注入层、所述多量子阱有源层、所述P型掺杂的InGaN/GaN超晶格结构、所述电子阻挡层以及所述P型空穴注入层，所述N型电子注入层与N型电极相连，所述P型空穴注入层上形成有透明电极层，所述透明电极层上制备有P型电极。

10.一种氮化物LED结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供衬底；

在所述衬底上依次形成低温缓冲层、不掺杂的氮化物层、N型电子注入层、多量子阱有源层、P型掺杂的InGaN/GaN超晶格结构、电子阻挡层以及P型空穴注入层；

依次刻蚀所述P型空穴注入层、所述电子阻挡层、所述P型掺杂的InGaN/GaN超晶格结构以及所述多量子阱有源层，形成一台柱面，并露出所述N型电子注入层，在露出的N型电子注入层上制备N型电极；

在刻蚀后的所述P型空穴注入层上制备透明电极层及P型电极。

11.如权利要求10所述的氮化物LED结构的制备方法，其特征在于，所述P型掺杂的InGaN/GaN超晶格结构的掺杂方式为只对InGaN进行P型掺杂。

12.如权利要求10所述的氮化物LED结构的制备方法，其特征在于，所述P型掺杂的InGaN/GaN超晶格结构的掺杂方式为只对GaN进行P型掺杂。

13.如权利要求10所述的氮化物LED结构的制备方法，其特征在于，所述P型掺杂的InGaN/GaN超晶格结构的掺杂方式为对InGaN及GaN均进行P型掺杂。

14.如权利要求10至13任一项所述的氮化物LED结构的制备方法，其特征在于，所述P型掺杂采用的杂质原子为Mg或Zn。

15.如权利要求14所述的氮化物LED结构的制备方法，其特征在于，所述N型电子注入层、P型空穴注入层、多量子阱有源层及电子阻挡层均由Al_xGa_yIn_1-x-yN组成，其中，0＜x＜1，0＜x+y＜1。

16.如权利要求15所述的氮化物LED结构的制备方法，其特征在于，所述P型掺杂的InGaN/GaN超晶格结构中的InGaN的禁带宽度大于所述多量子阱有源层中的量子阱的势阱的禁带宽度。

17.如权利要求16所述的氮化物LED结构的制备方法，其特征在于，所述N型电子注入层的禁带宽度、P型空穴注入层的禁带宽度以及多量子阱有源层中的量子阱的势垒的禁带宽度均大于所述多量子阱有源层中的量子阱的势阱的禁带宽度。