[发明专利]升压电路

说明书

【技术领域】

本发明是有关于驱动显示面板的升压电路，且特别是有关于一种随温度变化而调整输出电位的驱动显示面板的升压电路。

【背景技术】

为了降低产品成本，平面显示器的驱动电路逐渐以数组上栅极技术(Gate-On-Array，GOA)取代了原先的玻璃覆晶封装(Chip-On-Glass，COG)的驱动技术，从而可节省栅极驱动IC(Gate IC)的使用量。GOA架构与COG架构都需要使用移位缓存器(shift register)与电位移位器(level shift)。但是，GOA架构是利用薄膜晶体管n型金属氧半导体处理技术(TFT n-MOSprocess)来合成移位缓存器，并将电位移位器制作在玻璃基板上。而COG架构是通过互补金属氧半导体处理技术(CMOS process)将移位缓存器与电位移位器整合于单一芯片并将芯片设置在玻璃基板上。因此，GOA架构的制造成本远远低于COG架构。

图1绘示为GOA架构中一级移位缓存器的电路示意图，图2绘示为图1所示的移位缓存器中各种信号的频率示意图。如图1-2所示，移位缓存器由晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3以及晶体管M4而构成。当处于室温时，启动脉冲信号ST(Start Pulse)会先送一个脉冲导通晶体管M1从而将节点CP提升至接近启动脉冲信号ST的高电压位准。而当频率信号CLK送出一个脉冲时，因受到晶体管M2的电容耦合效应的影响，节点CP所储存的启动脉冲信号ST的高电压位准会进一步与频率信号CLK的高电压位准相迭加，从而再次提升节点CP的电位。此时晶体管M2导通以将频率信号CLK的高电压位准输出至节点Out而产生输出信号Out(n)以驱动相关的电路。当处于低温时，晶体管M2导通程度减弱，其电流量会降低，再加上源极电压与组件尺寸固定时晶体管M4的漏电情况，则节点Out上的电位无法拉升，导致输出信号Out(n)会出现异常而无法驱动相关的电路，并因此造成驱动电路的驱动能力不足而出现显示异常的现象。

【发明内容】

本发明的目的的一就是在提供一种升压电路，其可依据温度的变化而线性地改变其输出电位。

本发明的再一目的是提供一种随温度调整输出电位的升压电路，其对平面显示器的显示效果影响较小。

本发明提出一种升压电路，包括升压模块、反馈电路、参考电位产生模块、第一比较器以及脉冲宽度调变模块。升压模块包括输入端与输出端，其输入端接收输入电位，而输出端提供输出电位。反馈电路电性耦接至升压模块的输出端以根据输出电位而提供相对应的反馈电位。参考电位产生模块产生在特定温度区间内随着温度变化的参考电位。第一比较器具有两输入端与一输出端，第一比较器的两输入端分别接收反馈电位与参考电位，且第一比较器的输出端提供第一比较结果。脉冲宽度调变模块电性耦接至第一比较器与升压模块，脉冲宽度调变模块检测升压模块的输出端的电流以得输出电流检测结果，并根据输出电流检测结果与第一比较结果来控制何时导通升压模块经过脉冲宽度调变模块至地的电性通路。

在本发明的一个实施例中，上述的升压模块包括第一电感、第一单向导通组件以及第一电容。第一电感具有第一端与第二端，且第一电感的第一端电性耦接至升压模块的输入端。第一单向导通组件具有第一端与第二端，其中第一单向导通组件容许电流从第一单向导通组件的第一端流往单向导通组件的第二端，且第一单向导通组件的第一端电性耦接至第一电感的第二端。第一电容具有第一端与第二端，其中第一电容的第一端电性耦接至第一单向导通组件的第二端。

在本发明的一个实施例中，上述的参考电位产生模块包括多电位产生组件、第二比较器以及电位选择组件。多电位产生组件提供第一参考电位与第二参考电位，其中第二参考电位大于第一参考电位。第二比较器的两输入端分别接收第一参考电位与参考电位，其输出端提供致能信号。电位选择组件包括第一电阻、第二电阻、温感电阻、第一开关以及第二开关。第一电阻具有第一端与第二端，其中第一电阻的第一端电性耦接至多电位产生组件以接收第二参考电位。第二电阻具有第一端与第二端，其中第二电阻的第一端电性耦接至地。温感电阻具有第一端与第二端，其中温感电阻的第一端电性耦接至地。第一开关电性耦接于第一电阻与第二电阻之间并受致能信号控制是否导通。第二开关电性耦接于第一电阻与温感电阻之间并受致能信号控制是否导通。其中，温感电阻的电阻值随温度而变化，第一开关与第二开关受致能信号的控制而不同时导通，且第一电阻与第二开关的电性耦接点提供参考电位。