[发明专利]多晶硅薄膜及用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法

权利要求书

1.多晶硅薄膜，包括基板（1）和多晶硅薄膜层（3），其特征是:所述的基板（1）与多晶硅薄膜层（3）之间具有与二者复合在一起的硅化钛纳米线与多晶硅薄膜共存的过渡层（2）。

2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜，其特征是：所述的基板（1）为氧化锡或氧化锌的透明导电氧化物薄膜玻璃，或为不锈钢板。

3.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜，其特征是：所述的硅化钛纳米线包括纳米线、纳米钉、纳米棒、纳米线簇、火箭状纳米线中的至少一种形态。

4.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜，其特征是：所述的硅化钛纳米线为TiSi晶相或TiSi₂晶相。

5.用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法，其特征是：在基板（1）上自下而上依次沉积硅化钛纳米线层和非晶硅薄膜层，由所述的硅化钛纳米线层诱导非晶硅薄膜层结晶成为多晶硅薄膜层（3）。

6.根据权利要求5所述的用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法，其特征是：所述的基板（1）为氧化锡或氧化锌的透明导电氧化物薄膜玻璃，或为不锈钢板。

7.根据权利要求5所述的用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法，其特征是：所述的硅化钛纳米线层包括纳米线、纳米钉、纳米棒、纳米线簇、火箭状纳米线中的至少一种形态。

8.根据权利要求5所述的用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法，其特征是：所述的硅化钛纳米线层为TiSi晶相或TiSi₂晶相。

9.根据权利要求5所述的用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法，其特征是：所述的非晶硅薄膜层为化学气相沉积或磁控溅射沉积成的薄膜。