[发明专利]半夏属植物的组培快繁方法

权利要求书

1.一种半夏属植物的组培快繁方法，包括外植体选材料的选择和处理、增殖培养、生根及块茎生成、炼苗及离体块茎移栽的步骤，其特征在于在间歇浸没培养反应器进行所述的增殖培养和生根及块茎生成步骤。

2.根据权利要求1所述的半夏属植物的组培快繁方法，其特征在于具体包括以下步骤：

（1）外植体材料选择与处理：选择传统组培方法得到的半夏属植物无菌苗或经过消毒灭菌后自然生长的种苗，取其外植体并切出伤口备用；

（2）增殖培养：在无菌状态下，将步骤（1）得到的处理好的外植体接种到预先灭好菌的间歇浸没培养反应器中进行增殖培养；

（3）生根及块茎生成：增殖培养结束后，在无菌条件下将间歇浸没培养反应器中的增殖用培养基替换为生根及块茎生成培养基进行组织培养得到种苗；

（4）炼苗及离体块茎移栽：将组织培养得到的种苗取出后，直接移栽到珍珠岩中。

3.根据权利要求2所述的半夏属植物的组培快繁方法，其特征在于所述的步骤（1）的外植体处理方法为：叶片外植体取完全展开的叶片，将其横切出伤口以利于愈伤组织的诱导；叶柄外植体取叶柄中部切为0.5~2 cm长度；丛生芽及块茎外植体切出伤口以利于愈伤组织的诱导。

4.根据权利要求3所述的半夏属植物的组培快繁方法，其特征在于所述的叶柄外植体取叶柄中部切为1cm长度。

5.根据权利要求2所述的半夏属植物的组培快繁方法，其特征在于所述的步骤（2）的间歇浸没培养反应器的参数设置为：浸没频率1~20 min/2h；培养时间：15~30 d；培养用培养基配方为Ms+1.0 mg/L 6-BA+0.02 mg/L NAA+30 g/L蔗糖，pH5.8；培养条件为：光照强度1500-2000 lux，光照12 h/d，温度25±1℃。

6.根据权利要求5所述的半夏属植物的组培快繁方法，其特征在于所述的间歇浸没培养反应器的参数设置为：浸没频率5 ~10 min/2h；培养时间：20~25d。

7.根据权利要求2所述的半夏属植物的组培快繁方法，其特征在于所述的步骤（3）的生根及块茎生成培养基为Ms+1.0 mg/L 6-BA+0.2 mg/L NAA+45 g/L蔗糖，pH5.8；设置间歇浸没培养参数为：浸没频率1~20min/4h；培养时间20~40d；培养条件为：光照强度1500-2000 lux，光照12 h/d，温度25±1℃。

8.根据权利要求7所述的半夏属植物的组培快繁方法，其特征在于所述的设置间歇浸没培养参数为：浸没频率5~10 min/4h；培养时间25~30 d。

9.根据权利要求2所述的半夏属植物的组培快繁方法，其特征在于所述的间歇浸没培养反应器的容积大小为1~10 L。

10.根据权利要求7所述的半夏属植物的组培快繁方法，其特征在于所述的间歇浸没培养反应器的容积大小为3~5L。

11.根据权利要求1至10之一所述的半夏属植物的组培快繁方法，其特征在于所述的半夏属植物为中药半夏属(Pinellia Tenore)的植物。

12.根据权利要求11所述的半夏属植物的组培快繁方法，其特征在于所述的中药半夏属(Pinellia Tenore)是三叶半夏(P. ternata (Thunb.) Breit.)、水半夏（P. cordata N. E. Brown）、盾叶半夏（P. peltata Pei）、天南星（P. pedatisecta Schott）或犁头尖（Typhonium divaricatum (L.) Decne.）。