[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，其包括：一第一电极、一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层及一第二电极，所述第二电极及第二半导体层位于发光二极管出光面一侧，所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接，其特征在于，所述发光二极管进一步包括一碳纳米管层，所述碳纳米管层被包覆于所述第一半导体层中，以形成所述第一半导体层内的微结构。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层为一连续的整体结构。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层内在所述碳纳米管层周围形成有多个孔洞，所述碳纳米管层中的碳纳米管分布于该多个孔洞中。

4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述多个孔洞在所述第一半导体层界面处形成的凹凸结构为所述微结构。

5.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述多个孔洞相互基本平行。

6.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述多个孔洞相互交叉形成连通网络状。

7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述碳纳米管层为一连续的自支撑结构。

8.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述碳纳米管层包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管有序排列。

9.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述碳纳米管层包括至少一碳纳米管膜、多个碳纳米管线状结构或其组合。

10.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述碳纳米管层包括多个碳纳米管沿着平行于碳纳米管层表面的方向延伸，且平行于所述基底的表面。

11.如权利要求10所述的发光二极管，其特征在于，所述碳纳米管层具有多个空隙，所述第一半导体层延伸入所述多个空隙，形成包覆碳纳米管的多个孔洞。

12.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述多个孔洞位于同一平面内，且相邻的孔洞之间填充有第一半导体层。

13.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述碳纳米管层靠近所述第一半导体层的任意一表面设置，该碳纳米管层到所述第一半导体层该表面的距离为10纳米～500微米。

14.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述多个孔洞的孔径为2纳米～200微米。

15.一种发光二极管，其包括：一基底、一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层、一n型电极及一p型电极，所述第一半导体层、活性层、第二半导体层依次层叠设置在所述基底的表面上，所述的p型电极设置在所述第二半导体层上，与所述第二半导体层电接触，其特征在于，所述发光二极管进一步包括一碳纳米管层，所述碳纳米管层被包覆于所述第一半导体层中，以形成所述第一半导体层内的纳米微结构，所述的n型电极通过所述碳纳米管层与所述第一半导体层电连接，所述纳米微结构相互交叉形成连通网络状，使n型电极的电子在所述第一半导体层中流动均匀。

16.一种发光二极管，其包括：一基底、一第二电极、一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层、一第三半导体层及一第一电极，所述第一半导体层、活性层、第二半导体层、一第三半导体层及第二电极依次层叠设置在所述基底的一表面，所述第一半导体层靠近基底设置，所述第一电极与所述第一半导体层电连接，其特征在于，所述发光二极管进一步包括一碳纳米管层，所述碳纳米管层被包覆于所述第一半导体层中，以形成所述第一半导体层内的微结构。

17.如权利要求16所述的发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层内在所述碳纳米管层周围形成有多个孔洞，所述碳纳米管层中的碳纳米管分布于该多个孔洞中。

18.如权利要求16所述的发光二极管，其特征在于，所述第三半导体层为由多个沟槽间隔的非连续性的薄层。

19.如权利要求18所述的发光二极管，其特征在于，所述第二电极覆盖部分第三半导体层及位于部分沟槽内。

20.如权利要求19所述的发光二极管，其特征在于，所述第二电极通过位于沟槽内的部分与第二半导体层电连接。