[发明专利]透明导电膜湿法蚀刻液组合物

说明书

技术领域

本发明涉及透明导电膜湿法蚀刻液组合物，尤其涉及一种可在等离子显示器(PDP)，液晶显示器(LCD)，有机发光二极管显示器(OLED)等中用作像素电极的透明导电膜如氧化铟锌(ITO)或氧化铟锌(IZO)图样化的湿法蚀刻液。

背景技术

由于透明导电膜如氧化铟锌(ITO)具有多种独特的性质，如低电阻率、高可见光透过率、膜层硬度强且对基底附着力大、优良的化学稳定性等，因而，已经广泛地应用于LCD、PDP、OLED等平面显示领域。

目前，ITO蚀刻方法主要为湿法蚀刻，采用各种无机酸/盐或有机酸的水溶液组合物。常用的无机酸有盐酸、硫酸、磷酸、硝酸、碘酸、氢溴酸，有机酸有草酸、乙酸、柠檬酸。其中，盐酸+硝酸体系，蚀刻反应剧烈，生产中无法精确控制；另外，盐酸、硝酸的挥发造成体系组分含量不恒定，以及对环境的污染。磷酸体系，蚀刻后有残渣。三氯化铁体系，蚀刻速率快，但是侧蚀量也大，且对环境污染大。碘酸或氢溴酸体系，虽然蚀刻性好，但易游离出卤素单质或挥发，不稳定且毒性大。草酸体系，蚀刻速率慢，需要较高温度条件，且低温时易析出草酸晶体。

发明内容

为了解决现有技术的不足，本发明提供一种改良的透明导电膜湿法蚀刻液组合物，该蚀刻液组合物蚀刻速率均匀稳定，无残留，不腐蚀配线，不含易挥发物质。

本发明的技术方案如下：

一种透明导电膜湿法蚀刻液组合物，该蚀刻液组合物为草酸和乙酸的水溶液，其中草酸含量为0.5-10wt％；乙酸含量为0.1-50wt％。这里所讲的酸的含量均是指其有效成分占蚀刻液组合物的质量分数。

本发明的蚀刻液组合物若还含有0.01-10wt％铵盐，效果较佳。

上述的铵盐优选硫酸铵、硫酸氢胺、硝酸铵、碳酸铵、碳酸氢铵、氯化铵、溴化铵、甲酸铵、乙酸铵、丙酸铵、草酸铵、苯甲酸铵中的一种或两种。实际上，一般常用的铵盐均能够应用于本发明。

本发明的蚀刻液组合物若还含有0.001-10wt％表面活性剂，与上述草酸、乙酸配合使用，效果较佳；或者蚀刻液组合物若还含有0.001-10wt％表面活性剂，与上述草酸、乙酸、铵盐配合使用，效果更佳。

上述的表面活性剂优选阳离子型、阴离子型、非离子型、Gemini型和两性表面活性剂中的一种或两种。

上述蚀刻液组合物中，草酸含量为1-7wt％；乙酸含量为1-30wt％；铵盐含量为0.1-8wt％；表面活性剂含量为0.01-10wt％；余量为水；此种配比效果较佳。

上述的表面活性剂优选Gemini型表面活性剂。此时的蚀刻液组合物配比也采用：草酸含量为1-7wt％；乙酸含量为1-30wt％；铵盐含量为0.1-8wt％；表面活性剂含量为0.01-10wt％；余量为水；则效果更佳。

本发明的蚀刻液组合物的最佳配比为：草酸含量为2-4wt％；乙酸含量为5-20wt％；铵盐含量为0.5-5wt％；表面活性剂含量为0.1-5wt％；余量为水。

经验证，以本发明的上述基础配方0.5-10wt％草酸、0.1-50wt％乙酸为基本方案制得的透明导电膜湿法蚀刻液组合物，能够用于等离子显示器(PDP)、液晶显示器(LCD)、有机发光二极管显示器(OLED)透明导电膜氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)图样化的湿法蚀刻。

本发明具有稳定的蚀刻能力，蚀刻后无残渣，同时对铝、钼等金属配线无腐蚀，不含易挥发物质，不污染环境。

具体实施方式

本发明提供如下透明导电膜湿法蚀刻液组合物，其含有

(1)0.5-10wt％的草酸；

(2)0.1-50wt％的乙酸；

(3)余量水。

本发明中，草酸起均匀蚀刻的作用。草酸的含量为0.5-10wt％，优选1-7wt％，更优选2-4wt％.当含量小于0.5wt％时，蚀刻速率小，蚀刻效果差；当含量大于10wt％时，得不到更好的蚀刻效果，且易结晶析出。

本发明中，乙酸起促进蚀刻速率、调节蚀刻速率平稳、浸润板面的作用。乙酸的含量为0.1-50wt％，优选1-30wt％，更优选5-20wt％.当含量小于0.1wt％时，起不到促进蚀刻速率、调节蚀刻速率平稳、浸润板面的作用；当含量大于50wt％时，得不到更好的促进蚀刻速率、调节蚀刻速率平稳、浸润板面的的效果。