[发明专利]基于热塑性透明聚合物的银纳米线透明导电薄膜及其制备方法无效
| 申请号: | 201110108394.9 | 申请日: | 2011-04-27 |
| 公开(公告)号: | CN102270524A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
| 发明(设计)人: | 曾小燕;卢灿忠 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B1/02;H01B13/00;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 350002 *** | 国省代码: | 福建;35 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 塑性 透明 聚合物 纳米 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明提供一种基于热塑性透明聚合物的银纳米线透明导电薄膜的结构及其制备方法。
背景技术
透明导电薄膜是具有较高可见光透过率和一定导电能力的功能薄膜,作为透明电极被广泛应用于液晶显示器、触摸屏、电致发光器件和薄膜太阳能电池中,以及作为防静电涂层和电磁屏蔽层。透明导电薄膜能够同时实现高的可见光透过率和较高的电导率,因此能够保证可见光子和载流子的同时传输。到目前为止,综合性能最好的透明导电材料是锡掺杂氧化铟(ITO),能够在可见光透过率为80%的情况下达到方阻值小于10Ω,电阻率低于1.5×10-4Ωcm-1。但是ITO面临着如下几个严重的问题。第一,全球铟资源即将消耗完毕,价格节节攀升,这种状况随着LCD平板显示市场和薄膜太阳能电池市场和产能的快速扩张而进一步加剧;第二,需要昂贵的真空镀膜设备并且在较高的基片温度下才能制备获得高质量的ITO薄膜,设备投资巨大;第三,需要沉积在柔性基板上时,基片温度通常要小于200oC,质量难以达到最佳,而且在使用过程中随着基片的弯曲,ITO容易开裂破坏。
为了克服这些困难,大学和工业界开发出了多种新型的透明导电薄膜材料,其中最典型的例子是导电聚合物、铝掺杂氧化锌(AZO)、碳纳米管(CNT)和石墨烯透明导电薄膜。然而,导电聚合物的电导率低、在可见光区域具有较强的吸收、化学稳定性差;铝掺杂氧化锌和ITO同样有着容易开裂的问题,而且由于氧化锌是两性氧化物,化学和环境稳定性不够好;而碳纳米管透明导电薄膜由于碳纳米管之间的接触电阻较大,难以同时实现低的方块电阻和高的可见光透过率。以往的导电纳米线(纳米管)与可见光透明聚合物构成的导电复合材料,大多把导电纳米线(纳米管)与聚合物按照一定的比例均匀混合、分散形成特定形状的块体、纤维或者薄膜。由于有机聚合物能够阻碍纳米线(纳米管)之间的电子传输,所以为了实现高导电能力就要求导电纳米线(纳米管)的混合比例要求较高,但不可避免地降低了可见光透过率。文献(S. De等,Silver nanowire networks as flexible, transparent, conducting films: extremely high DC to optical conductivity ratios, Acs Nano 3 (2009) 1767-1774)报道了一种在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜上制备银纳米线导电层的方法,但是银纳米线与PET之间的附着力差,导电层容易被粘起破坏,而且表面不够平坦,表面起伏可能高达100纳米~300纳米,距离实际应用仍有相当差距。
所以,开发出可见光透过率高、方块电阻小、能够在柔性衬底上稳定使用和化学稳定性好的新型透明导电薄膜,在抗静电、电磁屏蔽、太阳能电池、触摸屏、柔性显示和电子纸领域具有应用价值,经济和社会效益很好。
发明内容
本发明提出一种基于热塑性透明聚合物的银纳米线透明导电薄膜,包括热塑性的透明聚合物和银纳米线导电层,其特征在于:连续的银纳米线导电网络镶嵌在热塑性透明聚合物的表面,部分银纳米线表面暴露在空气中,构成柔性的透明导电薄膜。
本发明采用如下技术方案:
1. 一种基于热塑性透明聚合物的银纳米线透明导电薄膜,其特征在于:连续的银纳米线导电网络镶嵌在热塑性透明聚合物表面,部分银纳米线表面暴露在空气中,构成柔性的透明导电薄膜;银纳米线的直径在10纳米到1000纳米,长度在100纳米到100微米之间;所述的透明导电薄膜的制备方法是先在硬质基板上沉积银纳米线导电网络,然后将热塑性透明聚合物基片和表面沉积了银纳米线导电网络的硬质基板紧贴在一起,通过在真空环境或者非真空环境下对热塑性透明聚合物基片和硬质基板进行一定的加压和加热处理,最后冷却卸除压力,把热塑性透明基片从硬质基板上分离开来,得到所需要的透明导电薄膜。
2. 项1所述的透明导电薄膜,其特征在于:透明导电薄膜的可见光透过率在10%-98%之间,可以过调节银纳米线的浓度或者通过选择不同的热塑性聚合物来对导电薄膜的透过率进行调节;透明导电薄膜的方块电阻值在0.5欧姆~10000欧姆之间,可以通过调节银纳米线的浓度来进行调节。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院福建物质结构研究所,未经中国科学院福建物质结构研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110108394.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





