[发明专利]辐射率可调的二氧化钒基复合薄膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种辐射率可调的二氧化钒基复合薄膜，其特征在于，包括二氧化钒薄膜层和复合于所述二氧化钒薄膜层能够降低所述二氧化钒基复合薄膜的辐射率的透明导电薄膜层，且所述二氧化钒基复合薄膜的辐射率为0.70以下。

2.根据权利要求1所述的二氧化钒基复合薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜层由含有氧化物和/或氮化物的透明导电材料制成。

3.根据权利要求2所述的二氧化钒基复合薄膜，其特征在于，所述氧化物为含有掺杂型SnO₂和/或ZnO导电化合物。

4.根据权利要求3所述的二氧化钒基复合薄膜，其特征在于，所述氧化物为锑掺杂二氧化锡、铟掺杂二氧化锡、氟掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、镓铝共掺杂氧化锌或其任意混合物。

5.根据权利要求2所述的二氧化钒基复合薄膜，其特征在于，所述氮化物为TiN_x、ZrN_x、HfN_x或其任意混合物，其中0.6≤x≤1.5。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的二氧化钒基复合薄膜，其特征在于，所述二氧化钒基复合薄膜的辐射率为0.50以下。

7.根据权利要求6所述的二氧化钒基复合薄膜，其特征在于，所述二氧化钒基复合薄膜对可见光的透过率为20%以上。

8.根据权利要求7所述的二氧化钒基复合薄膜，其特征在于，所述二氧化钒基复合薄膜对可见光的透过率为40%以上。

9.根据权利要求1～5中任一项所述的二氧化钒基复合薄膜，其特征在于，所述的透明导电薄膜层是单层或多层结构。

10.根据权利要求1～5中任一项所述的二氧化钒基复合薄膜，其特征在于，所述的透明导电薄膜层的厚度为20～800nm。

11.根据权利要求10所述的二氧化钒基复合薄膜，其特征在于，所述的二氧化钒薄膜层厚度为10～200nm。

12.根据权利要求1～5中任一项所述的二氧化钒基复合薄膜，其特征在于，所述的二氧化钒薄膜层的主成分为VO_2-y，其中-0.3<y<0.6。

13.根据权利要求12所述的二氧化钒基复合薄膜，其特征在于，所述的二氧化钒薄膜层中掺杂有一种或多种掺杂元素，所述掺杂元素选自钨、钼、铌、铬、钛、铝、钽、锰、氟、氮和氢。

14.根据权利要求12所述的二氧化钒基复合薄膜，其特征在于，所述的VO_2-y的主结晶相为金红石相。

15.根据权利要求1～5中任一项所述的二氧化钒基复合薄膜，其特征在于，所述二氧化钒基复合薄膜附着于透明衬底上，且在所述透明衬底与二氧化钒薄膜层之间、所述二氧化钒薄膜层与透明导电薄膜层之间、两层透明导电薄膜层之间、和/或所述透明导电薄膜层与空气界面处沉积有过渡层，所述过渡层由包括ZnS、Nb₂O₆、TiO₂、TeO₂、ZrO₂、HfO₂、Ta₂O₅、CeO₂、SiN_z(0. 5≤z≤1. 6) 、SnO₂、In₂O₃、ITO、Y₂O₃、Al₂O₃、AlN、MgO、Sc₂O₃、ZnO、WO₃、SiO、SiO_aN_b(1≤a≤2，0≤b≤1)、SrTiO₃中的一种或多种的无机透明材料制成。

16.一种制备根据权利要求1～14中任一项所述的二氧化钒基复合薄膜的方法，包括：

在透明衬底上沉积二氧化钒薄膜层的工序；及

在沉积有二氧化钒薄膜层的透明衬底上沉积透明导电薄膜层的工序。