[发明专利]一种电力半导体器件阴极图形及其阴极梳条图形排布方法有效

专利信息
申请号: 201110107686.0 申请日: 2011-04-28
公开(公告)号: CN102214686A 公开(公告)日: 2011-10-12
发明(设计)人: 陈芳林;程银华;陈勇民;彭文华;张明 申请(专利权)人: 株洲南车时代电气股份有限公司
主分类号: H01L29/41 分类号: H01L29/41;H01L21/28
代理公司: 上海硕力知识产权代理事务所 31251 代理人: 王法男
地址: 412001 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 电力 半导体器件 阴极 图形 及其 排布 方法
【权利要求书】:

1.一种电力半导体器件阴极图形,包括以圆心为轴划分的等分扇区和同心圆环,扇区与同心圆环相交处为图形单元,其特征在于:阴极的梳条为扇区圆弧排布结构,分布在扇区内并位于同一圆环内的梳条沿圆环的圆弧排布,每圈梳条的外边线为圆弧,且梳条的朝向均平行于扇区的中心线,相邻的两个扇区之间留有门极快捷通道。

2.根据权利要求1所述的一种电力半导体器件阴极图形,其特征在于:所述相邻两个扇区之间的门极快捷通道设置有单个梳条。

3.根据权利要求1或2所述的一种电力半导体器件阴极图形,其特征在于:所述的扇区数为4~64,所述的圆环数为1~16。

4.根据权利要求3所述的一种电力半导体器件阴极图形,其特征在于:所述的扇区数为16。

5.根据权利要求4所述的一种电力半导体器件阴极图形,其特征在于:所述的阴极图形应用于全控型半导体器件。

6.根据权利要求5所述的一种电力半导体器件阴极图形,其特征在于:所述的阴极图形应用于IGCT或GTO或逆导结构的复合器件。

7.根据权利要求6所述的一种电力半导体器件阴极图形,其特征在于:所述阴极图形的中心区域或环形区域或边缘区域设置有门极。

8.一种对权利要求1或2所述的电力半导体器件阴极图形进行阴极梳条图形排布的方法,其特征在于,所述的排布方法包括以下步骤:

(A)以圆心为轴将电力半导体器件的阴极面划分为等分扇区;

(B)根据梳条的长度在电力半导体器件的阴极面划分同心圆环;

(C)在扇区内设置梳条,将分布在扇区内并位于同一圆环内的梳条沿圆环的圆弧进行排布,使得每圈梳条的外边线为圆弧,且梳条设置的朝向均平行于扇区的中心线;

(D)在相邻的两个扇区之间预留门极快捷通道;

(E)在阴极面的中心区域或环形区域或边缘圆环区域设置门极;

(F)将按上述步骤设计的光刻掩膜版通过光刻工艺加工,把所设计的阴极图形转移到芯片的表面。

9.根据权利要求8所述的一种电力半导体器件阴极梳条图形排布方法,其特征在于:在所述相邻两个扇区之间的门极快捷通道插入单个梳条。

10.根据权利要求9所述的一种电力半导体器件阴极梳条图形排布方法,其特征在于:以圆心为轴将电力半导体器件的阴极面划分为4~64个等分扇区;在电力半导体器件的阴极面划分为1~16个同心圆环。

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