[发明专利]发光二极管封装结构无效
| 申请号: | 201110106766.4 | 申请日: | 2011-04-27 |
| 公开(公告)号: | CN102760817A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
| 发明(设计)人: | 蔡明达;陈靖中 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L25/075 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 | ||
1.一种发光二极管封装结构,其包括基板及设置在基板上的第一发光模组和第二发光模组,所述第一发光模组包括多个第一发光二极管,所述第二发光模组包括多个第二发光二极管,其特征在于:所述多个第二发光二极管围绕所述多个第一发光二极管设置,并且所述第二发光二极管的出光强度大于所述第一发光二极管的出光强度。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述第二发光二极管的功率大于所述第一发光二极管的功率。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述第二发光二极管的出光面积大于所述第一发光二极管的出光面积。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述发光二极管封装结构还包括一第三发光模组,所述第三发光模组包括多个第三发光二极管,所述多个第三发光二极管围绕所述多个第一发光二极管设置,并且位于第一发光二极管与第二发光二极管之间。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述第三发光二极管的出光强度大于第一发光二极管的出光强度,而小于第二发光二极管的出光强度。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述基板上还开设形成一容置杯,所述第一发光模组和第二发光模组设置在所述容置杯中。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述容置杯的底面上设置有导电线路,所述第一发光二极管及所述第二发光二极管为表面贴装型器件,其电极引脚通过导电线路电性连接到外部电源上。
8.如权利要求6所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述发光二极管封装结构还包括一封装层,所述封装层填充于基板的容置杯中并覆盖所述第一发光模组和第二发光模组。
9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述封装层的内部还包含有荧光粉,所述荧光粉选自钇铝石榴石、铽钇铝石榴石及硅酸盐中的一种或几种的组合。
10.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述第二发光模组中相邻的第二发光二极管之间的间距小于所述第一发光模组中相邻的第一发光二极管单元之间的间距。
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