[发明专利]一种碳化硅防弹陶瓷材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110105279.6 申请日: 2011-04-26
公开(公告)号: CN102219519A 公开(公告)日: 2011-10-19
发明(设计)人: 孟宪友;王海林;翟巍;王晴 申请(专利权)人: 大连金玛硼业科技集团有限公司
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/622
代理公司: 大连科技专利代理有限责任公司 21119 代理人: 龙锋
地址: 116000 辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 碳化硅 防弹 陶瓷材料 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种陶瓷材料的制备方法,具体是一种碳化硅防弹陶瓷材料及其制备方法。

背景技术

防弹材料是与子弹类武器的发展相伴相生的必然产物。目前常规武器发展迅速,对单兵和装备的威胁等级逐步提高,也对防弹材料的要求提出了更高的要求。对于高威胁等级的破片和弹体防护,需要采用在软体防弹衣上叠加防弹插板的结构形式提高防弹效能,这种设计充分利用了软体防弹衣和硬质防弹材料各自的弹道防护性能优势。硬质防弹材料通常选用陶瓷材料,例如氧化铝、碳化硅、碳化硼等等。

氧化铝材料是早起个体防护装备中应用最广泛的材料,具有原料易得、工艺成熟的优势,但其密度高(约3.8 g/cm3)、性能低、导致防弹衣重量增加和穿着者战斗能力下降。碳化硼材料虽然密度低,硬度好,但是需要热压生产,工艺复杂、产量低、价格高昂。碳化硅陶瓷具有较高的硬度和弹性模量,密度适中(3.0~3.2g/cm3),是比较理想的防弹陶瓷材料。美国等少数西方国家突破了其在防弹领域应用的关键技术,已经在其现役部队中批量应用。而我国在碳化硅陶瓷用于单兵弹道防护领域的应用缺乏系统研究,特别是在高强、高韧碳化硅材料的成本制备技术方面长时间没有取得突破更限制了该材料在个体防护领域的应用。

碳化硅可以通过不同生产工艺进行生产,热压烧结时产品的性能参数有明显提高但随之生产成本也大幅提高;无压烧结碳化硅也有原料价格高,工艺复杂、性能不高等缺陷。

相比之下反应烧结工艺所生产的产品游离硅含量低、密度高。

所谓反应烧结工艺是将具有反应活性的液(气)相硅或硅合金,在毛细管力的作用下渗入含有碳的多孔陶瓷素坯,并与其中的碳反应生成碳化硅。与其它烧结工艺相比,反应烧结工艺被认为是很具有前途的烧结工艺,具有如下特点:

可以再略高于硅的熔点(1420℃)的温度条件下进行,远低于传统烧结工艺所要求的温度;碳化硅原料的制备和烧结一步完成,较低的烧结温度可以有效抑制材料在高温下发生的诸多不利反应与变化,如晶粒异常长大和高温分解等。相比其它工艺反应烧结碳化硅具有以下优点:

(1)不需要高纯硅作为原料,反应不需要烧结添加剂;

(2)碳坯的多孔结构使反应迅速,反应时间短;

(3)碳坯容易加工,适合于制备复杂形状的制品;

(4)后期渗硅没有明显的体积或形状变化,易于获得净尺寸制品,减小后加工成本;

(5)产品在1350℃以下具有优良的抗高温蠕变性能。

正是由于以上特点,反应烧结工艺与传统的常压烧结(原料要求高、烧结变形大)、热压烧结(设备复杂、成本、高产量低)相比具有巨大的成本优势。生产同样数量的产品所需的生产设备数量、设备性能要求、生产时间、员工的技术水平都有较大程度的降低和减少。

如果按生产原料与工艺路线细分反应烧结碳化硅又可以分为反应结合碳化硅和反应形成碳化硅两种。简单的说生产过程中使用碳化硅粉体作为原料之一的生产工艺就是反应结合碳化硅工艺;不使用碳化硅原料的反应烧结工艺为反应形成碳化硅。反应结合工艺产品中的碳化硅既有由原料引入的碳化硅又有反应烧结过程中产生的碳化硅,而反应形成生产工艺产品中的碳化硅全部为反应烧结过程中生成。反应结合工艺是具有生产过程简单、成本低的优势。但是容易出现碳化硅晶粒大、自由硅含量高、生坯孔径不均匀导致渗硅不均匀的现象发生。反应生成碳化硅的主要问题是坯体热解时容易开裂,不容易得到大尺寸制品。生坯中碳含量较高,未能完全反应的碳会破坏制品性能。渗硅时生成碳化硅是放热反应,可能发生高温使碳化硅颗粒异常长大,或发生晶形改变,影响力学性能。

发明内容

为了克服现有技术中存在的缺陷,本发明使用碳化硅粉体作为原料之一,通过反应烧结法制备了一种碳化硅防弹陶瓷材料。

本发明的技术方案是这样实现的:一种碳化硅防弹陶瓷材料,将碳粉和碳化硅粉的混合物作为原料与金属硅一起进行反应烧结制得的碳化硅防弹陶瓷材料,所述碳粉和碳化硅粉的混合物中碳粉的质量百分比为3~60%,其余为碳化硅粉,所述金属硅的加入量是碳粉质量的2.3~6倍。

所述碳粉的质量百分比为5~50%。

所述金属硅的加入量是碳粉质量的3~5倍。

所述碳化硅为绿碳化硅,粒度范围是60~2000目。

所述碳粉的比表面积是5~500m2/g。

所述碳化硅的粒度范围是100~1200目。

所述碳粉的比表面积是50~300 m2/g。.

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