[发明专利]图像显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种在基板上具有多个薄膜晶体管的图像显示装置，其特征在于，

具有：

在所述基板上形成的多条栅极线；以及

与所述栅极线交叉的多条漏极线，

所述薄膜晶体管是底栅型，与沟道区域重叠的区域具有从所述基板侧顺次层叠了栅电极、栅极绝缘膜、半导体层的层叠构造，具有在所述沟道区域的沟道宽度方向上且在所述栅电极的两端侧形成的被除去了该栅极绝缘膜的一对除去区域，

在将所述沟道区域中的沟道宽度方向的所述栅电极的宽度设为W，并将被所述一对除去区域所夹的、所述沟道宽度方向的所述栅极绝缘膜的宽度设为R时，满足R≥W。

2.根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于，

在将所述沟道区域中的沟道宽度方向的所述半导体层的宽度设为H时，所述沟道宽度方向的所述栅极绝缘膜的宽度R满足R＞H。

3.根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于，

所述沟道区域中的沟道宽度方向的所述半导体层的宽度H和所述沟道区域中的沟道宽度方向的所述栅电极的宽度W满足W＞H。

4.根据权利要求2或3所述的图像显示装置，其特征在于，

源电极以及漏电极包含在所述半导体层的上层形成的金属膜，所述源电极以及漏电极和所述栅电极包含相同的薄膜材料。

5.根据权利要求2所述的图像显示装置，其特征在于，

源电极与漏电极重叠的区域具有从所述基板侧顺次层叠了所述栅极绝缘膜、层间绝缘膜、非单晶硅膜、金属膜的层叠构造，

所述半导体层分别与所述栅极绝缘膜及所述层间绝缘膜以及所述非单晶硅膜相接而形成，

所述栅电极上部的所述层间绝缘膜被加工为锥状，

所述源电极以及漏电极和所述栅电极由相同的薄膜材料构成。

6.一种在基板上具有多个薄膜晶体管的图像显示装置的制造方法，其特征在于，包含以下工序：

在基板上形成包含栅电极的栅极线；

在所述栅电极上形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上形成非单晶硅膜；

对所述栅极绝缘膜进行加工，在所述栅极绝缘膜上形成一对开口部，所述开口部具有与所述栅电极的延伸方向平行地形成的至少一个边缘部，并且以在平面上隔着所述栅电极的方式相对配置所述边缘部，并且被配置在所述沟道区域的沟道宽度方向上；以及

在非单晶硅膜上形成漏电极以及源电极，并且将所述栅极绝缘膜作为掩膜对在所述开口部内露出的栅电极进行蚀刻。

7.根据权利要求6所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，

具有将抗蚀剂作为掩膜对所述非单晶硅膜进行侧面蚀刻而形成半导体层的工序，

在将沟道宽度方向的所述半导体层的宽度设为H，并将所述沟道宽度方向的所述栅极绝缘膜的宽度设为R时，形成满足R＞H的所述半导体层。

8.根据权利要求6所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，

具有在所述栅极绝缘膜上形成接触孔的工序，

在形成所述漏电极以及所述源电极时，将和所述漏电极以及所述源电极一起形成的同层的布线与和所述栅极线同层的布线进行电连接。

9.根据权利要求6～8中任意一项所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

在所述栅极绝缘膜的上层形成层间绝缘膜；

将抗蚀剂作为掩膜，对所述层间绝缘膜进行加工；以及

将所述加工后的层间绝缘膜作为掩膜，对所述栅极绝缘膜进行加工。