[发明专利]电光开关及激光设备无效

专利信息
申请号: 201110104185.7 申请日: 2011-04-25
公开(公告)号: CN102545867A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 樊仲维;张正祥 申请(专利权)人: 北京国科世纪激光技术有限公司
主分类号: H03K17/94 分类号: H03K17/94;H01S3/115
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100192 北京市海淀区西*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 电光 开关 激光设备
【说明书】:

技术领域

发明涉及电子技术领域,具体是一种电光开关及应用该电光开关的激光设备。

背景技术

在激光中,经常应用到电光开关。一般情况下只用电光开关的下降沿就够了,但是有些场合需要同时用到电光开关的上升沿和下降沿,如用电光开关来选单、倒空、斩波等。由于使用电光开关驱源的电压很高、开关速度很快,一般采用雪崩三极管串联方式。如图1所示,其中图1a为下降沿开关方式,图1b为下降沿、上升沿开关方式。如图1a所示,T1、T2...Tn均为雪崩三极管,串联在电光晶体P高压端,平均分配高压电压。电光晶体P处于高压电场中,当触发信号来时最下端的雪崩三极管Tn导通,使雪崩三极管T1、T2...Tn-1的电压增大至雪崩电压,这样T1、T2...Tn-1突然雪崩,使电光晶体P的高电压突然降到0V,下降沿时间可到1-5纳秒左右,电光晶体P两端的电场瞬间消失,这是下降沿开关的电光开关驱动原理。对于上升沿开关方式与下降沿开关方式一样,但是有两边一样的下降沿开关方式电路,该电路比图1a增加了Q1、Q2...Qn、C2、R2及延时电路。如图1b所示,没有触发信号时,电光晶体P两端都是高压且电压相等,即电光晶体P两端的电压都为0V,没有电场;当触发信号时,电光晶体P的左端马上降到0V,而右端的触发信号要经过延时电路,此时右端还保持高压,这样左边雪崩三极管的下降沿变成电光晶体P两端电压的上升沿,上升时间约为1-5纳秒,触发信号经过延时电路的时间延时驱动右端的雪崩三极管,使电光晶体P右端的电压马上降到0V,这时电光晶体P两端电压又是相等状态,即电压为0V。即左边雪崩三极管的下降时间也是电光晶体P两端电压的下降时间,也约为1-5纳秒。

但是上述现有技术提供的用到上升沿和下降沿的电光开关的结构复杂,成本高,且该电光开关的脉宽抖动大。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种电光开关,电路简单、可靠性好,成本低且脉宽抖动小。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:

一种电光开关,其包括:

依次串联的第一雪崩三极管T1、第二雪崩三极管T2...第N雪崩三极管Tn,所述第一雪崩三极管T1的集电极为高压电接入端,所述第一雪崩三极管T1的集电极通过电容C1接地,所述第N雪崩三极管Tn的发射极接地,所述第N雪崩三极管Tn的基极为触发信号输入端;所述第一雪崩三极管T1的集电极还通过传输线连接电容C2的一端,所述电容C2的另一端接地,所述电容C2的一端还通过电光晶体P连接所述第一雪崩三极管T1的集电极。

优选地,所述第一雪崩三极管T1的集电极还连接有电阻R1的一端,所述电阻R1的另一端为高压电接入端。

优选地,所述传输线为同轴线缆。

优选地,所述传输线的长度L为:L=C*tw,其中,C为光速,单位为0.3米/纳秒;tw为所述电光开关的工作脉宽,单位为纳秒。

一种设备,其包括上述任意技术方案所述的电光开关。

优选地,所述设备为激光器。

实施本发明的技术方案,具有以下有益效果:本发明提供的电光开关的电路简单,可靠性好。可减少现有技术中的昂贵的雪崩三极管和无需延时电路,成本低。如果传输线的长度固定,则该电光开关的脉宽也就固定了,该电光开关没有脉宽抖动。

附图说明

图1a为现有技术提供的电光开关的结构示意图;

图1b为现有技术提供的电光开关的结构示意图;

图2为本发明实施例提供的电光开关的结构示意图。

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。

本发明实施例提供一种电光开关,如图2所示,该电光开关包括:

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