[发明专利]阵列基板、液晶显示器及阵列基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术，尤其涉及一种阵列基板、液晶显示器及阵列基板的制造方法。

背景技术

液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display；简称为：TFT-LCD)由于具有体积小、功耗低、无辐射等优点，而成为液晶显示器中的主流产品。通常TFT-LCD包括液晶面板、驱动电路和背光源。液晶面板是TFT-LCD中的主要部件，由阵列基板和彩膜基板对盒而成，其间填充有液晶层；通过控制驱动电路提供的电压使液晶分子有序发生偏转，产生光的明暗变化，其中电压的控制是由薄膜晶体管完成的。

图1A为现有技术阵列基板的局部俯视结构示意图，图1B为图1A中沿A-A线的侧视剖切结构示意图。如图1A和1B所示，该阵列基板包括衬底基板1；衬底基板1上形成有横纵交叉的数据线5和栅线2；数据线5和栅线2围设形成矩阵形式排列的像素单元；每个像素单元包括TFT开关和像素电极11；TFT开关包括栅电极3、源电极7、漏电极8和有源层6(包括半导体层601和欧姆接触层602)；栅电极3连接栅线2，源电极7连接数据线5，漏电极8连接像素电极11，有源层6形成在源电极7和漏电极8与栅电极3之间。其中，栅线2和栅电极3上覆盖栅绝缘层4，与TFT开关和数据线5保持绝缘；TFT开关和数据线5上覆盖有钝化层9，与像素电极11保持绝缘，像素电极11可通过钝化层过孔10与漏电极8相连。其中，上述结构和图案构成阵列基板上的像素区域30(如图1A中虚线所围部分)，而像素区域之外为接口区域40，在图1A中未示出接口区域40内的具体图案。

随着TFT-LCD的飞速发展，对TFT-LCD的视角要求不断提高，广视角技术(Wide Viewing Angle)便应运而生。在众多的广视角技术中，高级超维场开关技术(Advanced-Super Dimensional Switching；简称：AD-SDS)通过同一平面内像素电极边缘所产生的平行电场以及像素电极层与公共电极层间产生的纵向电场形成多维空间复合电场，使液晶盒内像素电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD画面品质，具有高透过率、宽视角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹(pushMura)波纹等优点。

之前AD-SDS型TFT-LCD阵列基板一般通过5次掩模工艺制备；第一次掩模形成第一层透明公共电极层(1^st ITO)，形成在衬底基板上的透明公共电极由公共电极线和透明电极组成；第二次掩模形成栅线和栅电极(Gate)，即栅线和栅电极形成在透明公共电极上；第三次灰阶掩模形成包括有源层(通常包括半导体层和有源硅岛)、数据线、源电极和漏电极的图案(SDT)，其中，源电极和漏电极形成在有源层之上，数据线垂直于栅线设置；第四次掩模形成包含钝化层和钝化层过孔(Via)的图案，其中，钝化层形成在源电极和漏电极之上，并覆盖整个衬底基板，钝化层上对应漏电极的位置形成有钝化层过孔；第五次掩模形成透明像素电极图案(2^nd ITO)，透明像素电极通过钝化层过孔与漏电极相导通。

而减少TFT-LCD阵列基板制造过程中掩模工艺的次数是降低TFT-LCD制造成本的关键，因此，为了降低TFT-LCD的制造成本，目前通常采用4次掩模工艺制备AD-SDS型TFT-LCD。4次掩模工艺与5次掩模工艺的区别在于，第一次掩模利用灰阶掩模板将第一层透明公共电极层和栅线、栅电极层同时形成(1^st ITO～Gate HTM mask)；同时，第一次掩模工艺中还会同时形成周边驱动电路，例如栅极接口区域、公共电极接口区域等。

但是，现有技术在利用灰阶掩模板制备第一层透明公共电极和栅线、栅电极时，由于在形成周边驱动电路区域上的驱动电路图案时会造成相邻像素区域内显影液浓度不均匀，造成驱动电路图案相邻的像素区域灰阶曝光出的光刻胶厚度明显小于其他像素区域，通常表现为驱动电路图案相邻的像素区域边缘存在一种云状的Mura(如图2A所示)。这种云状的Mura会影响随后进行的刻蚀过程，导致刻蚀工艺难度增加，刻蚀工艺参数控制困难，进而造成刻蚀Mura出现，从而降低产品良率。

发明内容

本发明的目的是提供一种阵列基板、液晶显示器及阵列基板的制造方法，用以在不增加掩模工艺次数的情况下，降低周围驱动电路区域内的驱动电路图案对像素区域的影响，提高阵列基板的制造良率。