[发明专利]在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法有效
| 申请号： | 201110100538.6 | 申请日： | 2011-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN102208756A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 汪明;杨涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磷化 衬底 生长 砷化铟 铟镓砷 量子 材料 方法 | ||
1.一种在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法，包括如下步骤：
步骤1：选择一衬底；
步骤2：在衬底上依次生长一缓冲层、一下波导层、一双量子阱结构、一上波导层和一盖层，完成在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的制作。
2.根据权利要求1所述的在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法，其中衬底为半绝缘的InP单晶片。
3.根据权利要求1所述的在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法，其中缓冲层为本征InP缓冲层，其沉积厚度为200至400nm，生长温度介于550至650℃之间。
4.根据权利要求1所述的在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法，其中下波导层的材料为InxGa1-xAsyP1-y，其带隙对应的波长为1.3μm，其沉积厚度不大于100nm，生长温度介于550至650℃之间。
5.根据权利要求1所述的在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法，其中所述的双量子阱结构层中的每一量子阱结构层包括：一InxGa1-xAs垒层和生长在其上的InAs量子阱层，在该双量子阱结构层的最上层还单独生长一层InxGa1-xAs垒层。
6.根据权利要求5所述的在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法，其中所述的InAs量子阱的沉积厚度不大于5nm，生长温度介于460至500℃之间。
7.根据权利要求5所述的在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法，其中所述的InxGa1-xAs垒层的沉积厚度不大于20nm，生长温度介于460至500℃之间。
8.根据权利要求1所述的在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法，其中步骤2是采用金属有机化合物气相沉积法。
9.根据权利要求1所述的在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法，其中上波导层的材料为InxGa1-xAsyP1-y，其带隙对应的波长为1.3μm，其厚度不大于100nm，生长温度介于550至650℃之间，该上波导层和下波导层的晶格均与衬底匹配。
10.根据权利要求1所述的在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法，其中盖层的材料为InP，其厚度不大于100nm，生长温度介于550至650℃之间。
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