[发明专利]电子发射元件及其制造方法有效
| 申请号: | 201110097730.4 | 申请日: | 2011-04-14 |
| 公开(公告)号: | CN102222590A | 公开(公告)日: | 2011-10-19 |
| 发明(设计)人: | 平川弘幸 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
| 主分类号: | H01J1/304 | 分类号: | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 谷惠敏;穆德骏 |
| 地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子 发射 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种电子发射元件,包括:
第一电极;
绝缘层,所述绝缘层形成在所述第一电极上并且具有贯通孔的开口;
第二电极,所述第二电极形成在所述绝缘层上,所述第二电极被布置成使得至少覆盖所述开口,并且经由所述开口而面向所述第一电极;以及
精细颗粒层,所述精细颗粒层被布置在所述第一电极和所述第二电极之间,所述精细颗粒层由绝缘精细颗粒和导电精细颗粒构成,
其中,所述绝缘层被布置在所述第一电极和所述精细颗粒层之间或在所述第二电极和所述精细颗粒层之间,当在所述第一电极和所述第二电极之间施加电压时,电子从所述第一电极发射,并且在所述精细颗粒层中被加速,以通过所述第二电极。
2.根据权利要求1所述的电子发射元件,其中,所述绝缘层被形成为与所述第一电极接触,并且所述精细颗粒层被布置在所述第二电极和所述绝缘层之间。
3.根据权利要求1所述的电子发射元件,其中,所述绝缘层由硅树脂形成。
4.根据权利要求1所述的电子发射元件,其中,所述第二电极在其表面中具有凹陷。
5.根据权利要求1所述的电子发射元件,其中,所述第二电极包括在精细颗粒层侧上形成的第一电极层以及在所述第一电极层上形成的并且具有比所述第一电极层更大的电阻的第二电极层,并且在所述第一电极层的表面中形成凹陷。
6.根据权利要求5所述的电子发射元件,其中,所述凹陷穿透所述第一电极层,使得所述第二电极层与所述精细颗粒层电连接。
7.根据权利要求5所述的电子发射元件,其中,所述第一电极层可以是非晶碳层。
8.根据权利要求5所述的电子发射元件,其中,所述第二电极层可以是金属层。
9.根据权利要求8所述的电子发射元件,其中,所述第二电极层可以由包括金、银、钨、钛、铝和钯中的至少一种的材料形成。
10.根据权利要求1所述的电子发射元件,其中,所述精细颗粒层进一步包括由绝缘精细颗粒构成的绝缘精细颗粒层。
11.根据权利要求1所述的电子发射元件,其中,构成所述精细颗粒层的所述绝缘精细颗粒层和所述导电精细颗粒层被硅树脂固定在一起。
12.根据权利要求1所述的电子发射元件,其中,所述导电精细颗粒由包含金、银、铂、钯和镍中的至少一种的材料构成,并且具有3nm至10nm的平均颗粒直径。
13.根据权利要求1所述的电子发射元件,其中,所述绝缘精细颗粒由包含SiO2、Al2O3和TiO2中的至少一种的材料构成,并且具有10nm至1000nm的平均颗粒直径。
14.根据权利要求1所述的电子发射元件,其中,所述电子发射元件与在光发射装置中的发光体一起使用以发射电子使所述发光体发光。
15.根据权利要求14所述的电子发射元件,其中,所述电子发射元件被用作在图像显示装置中的光发射装置。
16.根据权利要求1所述的电子发射元件,其中,所述电子发射元件与在冷却装置中的风扇一起使用以产生离子风来冷却物体。
17.根据权利要求1所述的电子发射元件,其中,所述电子发射元件与在带电装置中的感光器一起使用以发射电子使感光器带电。
18.根据权利要求17所述的电子发射元件,其中,所述电子发射元件被用作在图像形成装置中的带电装置。
19.根据权利要求1所述的电子发射元件,其中,所述电子发射元件被用作在用于固化抗蚀剂的电子束固化装置中的电子源,以使电子与抗蚀剂碰撞,使得固化抗蚀剂。
20.根据权利要求1所述的电子发射元件,其进一步包括:
电源,所述电源用于在所述第一电极和所述第二电极之间施加电压。
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