[发明专利]发光模块的过电流检测电路

权利要求书

1.一种发光模块的过电流检测电路，所述过电流检测电路包括：

钳位电路单元，检测来自连接到发光模块的阴极端的检测连接节点的检测电压并将该检测电压固定到预设钳位电压，其中，所述发光模块包括至少一个发光元件；

异常检测单元，确定由钳位电路单元固定的电压是否是过电流并且当由钳位电路单元固定的电压低于预设第一参考电压时产生过电流检测信号。

2.如权利要求1所述的过电流检测单元，其中，钳位电路单元连接到检测连接节点，其中，该检测连接节点在发光模块的阴极端与用于控制在所述发光模块中流动的电流的开关之间。

3.如权利要求2所述的过电流检测单元，其中，当检测连接节点的检测电压低于预设钳位电压时，钳位电路单元将具有比第一参考电压的电平低的电平的电压输出到异常检测单元，以及当检测连接节点的检测电压高于预设钳位电压时，钳位电路单元将具有比第一参考电压的电平高的电平的钳位电压输出到异常检测单元。

4.如权利要求3所述的过电流检测单元，其中，异常检测单元包括：

第一检测单元，通过将由钳位电路单元固定的电压与第一参考电压相比较来检测是否存在异常；

电流源，连接到被提供预设电源电压的电源端；

第一开关，连接在电流源与接地之间并根据第一检测单元的输出信号执行切换操作；

电容器，连接在充电连接节点与接地之间，该充电连接节点设置在电流源与第一开关之间；

第二检测单元，通过将在电容器中充电的电压与预设第二参考电压相比较来检测是否存在维持预设预定时间的异常；

第二开关，连接在输出节点与接地之间并根据第二检测单元的输出信号执行切换操作以将过电流检测信号输出到输出端，其中，输出节点设置在连接到电源端的输出电阻器与所述输出端之间。

5.如权利要求3所述的过电流检测电路，其中，钳位电路单元包括N沟道金属氧化物场效应晶体管nMOSFET，该nMOSFET包括连接到检测连接节点的漏极、连接到异常检测单元的输入端的源极、连接到被提供钳位电压的钳位电压端的栅极。

6.如权利要求4所述的过电流检测电路，其中，第一检测单元包括第一运算放大器，该第一运算放大器包括：反相输入端，接收由钳位电路单元固定的电压；非反相输入端，接收第一参考电压；输出端，当固定的电压高于第一参考电压时输出低电平电压，以及当固定的电压低于第一参考电压时输出高电平电压。

7.如权利要求6所述的过电流检测电路，其中，第一检测单元还包括第一反相器，该第一反相器对来自第一运算放大器的输出电压的电平进行反相并输出反相的输出电压。

8.如权利要求6所述的过电流检测电路，其中，第二检测单元包括第二运算放大器，该第二运算放大器包括：非反相输入端，接收在电容器中充电的电压；反相输入端，接收第二参考电压；输出端，当充电的电压低于第二参考电压时输出低电平电压，以及当充电的电压高于第二参考电压时输出高电平电压。

9.如权利要求8所述的过电流检测电路，其中，第二检测单元还包括第二反相器，该第二反相器对来自第二运算放大器的输出电压的电平进行反相并输出反相的输出电压。

10.如权利要求4所述的过电流检测电路，其中，第一开关包括nMOSFET，当第一检测单元的输出信号为高电平时该nMOSFET被导通以将充电连接节点连接到接地，当第一检测单元的输出信号为低电平时该nMOSFET被截止以将充电连接节点与接地分离。

11.如权利要求4所述的过电流检测电路，其中，第二开关包括nMOSFET，当第二检测单元的输出信号为高电平时该nMSOFET被导通以将输出节点连接到接地，当第二检测单元的输出信号为低电平时该nMOSFET被截止以将输出节点与接地分离。