[发明专利]一种制备单层二氧化钛多孔阵列的方法无效

专利信息
申请号: 201110095730.0 申请日: 2011-04-18
公开(公告)号: CN102225848A 公开(公告)日: 2011-10-26
发明(设计)人: 沈国震;董渊;晁军峰;陈娣 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: C03C17/23 分类号: C03C17/23;B32B17/06;B01J21/06
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 朱仁玲
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 单层 氧化 多孔 阵列 方法
【权利要求书】:

1.一种制备单层TiO2多孔阵列的方法,包括以下步骤:

(1)在玻璃片上制备单层聚苯乙烯胶体球膜;

(2)在单层聚苯乙烯胶体球膜的间隙中制备TiO2

(3)将步骤(2)处理后的有单层聚苯乙烯胶体球膜的玻璃片高温煅烧,得到在玻璃片表面的单层TiO2多孔阵列。

2. 根据权利要求1所述的制备单层TiO2多孔阵列的方法,其特征在于,步骤(2)包括以下子步骤:

(2.1)将单层聚苯乙烯胶体球膜夹在两玻璃片之间; 

(2.2)取钛酸丁酯滴在两玻璃片的接缝处,使聚苯乙烯胶体球膜的间隙中均匀渗入钛酸丁酯;

(2.3)使两玻璃片之间的钛酸丁酯与水蒸气充分反应,生成TiO2

3. 根据权利要求1或2所述的制备单层TiO2多孔阵列的方法,其特征在于,步骤(1)中通过采用浮膜法在玻璃片上制备单层聚苯乙烯胶体球膜。

4. 根据权利要求1或2所述的制备单层TiO2多孔阵列的方法,其特征在于,步骤(3)中所述的单层TiO2多孔阵列为锐钛矿相或金红石相。

5. 根据权利要求1或2所述的制备单层TiO2多孔阵列的方法,其特征在于,步骤(3)中所述的高温煅烧是指在300℃-900℃下煅烧2-6小时。

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