[发明专利]等离子体加工设备及其工作方法有效
申请号: | 201110095456.7 | 申请日: | 2011-04-15 |
公开(公告)号: | CN102737939A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 张彦召 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/00 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100026 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 加工 设备 及其 工作 方法 | ||
1.一种等离子体加工设备,包括反应腔室,分别位于所述反应腔室的顶部和底部上且相对设置的上电极和下电极,以及位于所述反应腔室外部的射频电源,其特征在于,还包括设置于所述反应腔室外部的开关,所述开关与所述上电极相连接,且所述开关用于对所述上电极的接通路径进行控制以使所述上电极与所述射频电源连接或者与地连接。
2.根据权利要求1所述的等离子体加工设备,其特征在于,所述上电极包括位于所述反应腔室内部的与等离子体相接触的匀流装置。
3.根据权利要求1所述的等离子体加工设备,其特征在于,所述开关包括手动开关或自动开关。
4.根据权利要求3所述的等离子体加工设备,其特征在于,所述开关为单刀双掷开关。
5.根据权利要求1所述的等离子体加工设备,其特征在于,所述开关包括能够分别独立控制的第一开关和第二开关,其中所述第一开关的一端与所述上电极相连、另一端与所述射频电源相连,所述第二开关的一端与所述上电极相连、另一端与地相连。
6.根据权利要求1至5任一项所述的等离子体加工设备,其特征在于,所述等离子体加工设备为等离子体薄膜沉积设备或等离子体刻蚀设备。
7.一种等离子体加工设备的工作方法,其特征在于,包括:
将所述等离子体加工设备的上电极与射频电源连接,进行等离子体加工工艺;
所述等离子体加工工艺结束后,将所述上电极与所述射频电源断开;
将所述上电极与地连接,以释放所述上电极上的残余电荷。
8.根据权利要求7所述的工作方法,其特征在于,通过开关将所述上电极与所述射频电源连接或者与地连接。
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