[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

衬底；

依次位于所述衬底上的缓冲层、非掺层、插入层、n型半导体层、有源层、p型半导体层以及电流扩散层；

其中，所述插入层由至少一层非掺杂氮化物层和至少一层n型掺杂氮化物层构成，所述非掺杂氮化物层靠近所述n型半导体层，所述n型掺杂氮化物层靠近所述非掺层。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述非掺杂氮化物层为非掺杂GaN层或非掺杂AlGaN层，所述n型掺杂氮化物层为n型掺杂GaN层或n型掺杂AlGaN层。

3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述n型掺杂氮化物层中掺入了硅离子。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述插入层的厚度在5nm至200nm之间。

5.如权利要求1至4中任一项所述的发光二极管，其特征在于，还包括：

深度延伸至所述n型半导体层的开口；

形成于所述开口内的n型电极，所述n型半导体层通过所述n型电极与一电源负极电连接；

形成于所述电流扩散层上的p型电极，所述p型半导体层通过所述p型电极与一电源正极电连接。

6.如权利要求1至4中任一项所述的发光二极管，其特征在于，还包括：

形成于所述衬底远离所述n型半导体层表面上的n型电极，所述n型半导体层通过所述n型电极与一电源负极电连接；

形成于所述电流扩散层上的p型电极，所述p型半导体层通过所述p型电极与一电源正极电连接。

7.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次形成缓冲层、非掺层、插入层、n型半导体层、有源层、p型半导体层以及电流扩散层；其中，所述插入层由至少一层非掺杂氮化物层和至少一层n型掺杂氮化物层构成，所述非掺杂氮化物层靠近所述n型半导体层，所述n型掺杂氮化物层靠近所述非掺层。

8.如权利要求7所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述非掺杂氮化物层为非掺杂GaN层或非掺杂AlGaN层，所述n型掺杂氮化物层为n型掺杂GaN层或n型掺杂AlGaN层。

9.如权利要求8所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述n型掺杂氮化物层中掺入了硅离子。

10.如权利要求7所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述插入层的厚度在5nm至200nm之间。

11.如权利要求7至10中任一项所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，还包括：

形成深度延伸至所述n型半导体层的开口；

在所述开口内形成n型电极，所述n型半导体层通过所述n型电极与一电源负极电连接；

在所述电流扩散层上形成p型电极，所述p型半导体层通过所述p型电极与一电源正极电连接。

12.如权利要求7至10中任一项所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述衬底远离所述n型半导体层的表面上形成n型电极，所述n型半导体层通过所述n型电极与一电源负极电连接；

在所述电流扩散层上形成p型电极，所述p型半导体层通过所述p型电极与一电源正极电连接。