[发明专利]一种铜锌锡硫光电材料的水热合成方法有效
申请号: | 201110094006.6 | 申请日: | 2011-04-14 |
公开(公告)号: | CN102254985A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 占金华;蒋贺纯;代鹏程 | 申请(专利权)人: | 山东大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C01G19/00 |
代理公司: | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人: | 郎彼得 |
地址: | 250100 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铜锌锡硫 光电 材料 合成 方法 | ||
1.一种铜锌锡硫光电材料的水热合成方法,步骤如下:
1)将锌盐、锡盐、铜盐按(0.5~6)∶(0.3~1)∶(0.5~2)的摩尔比溶于溶剂中,再加入金属盐总摩尔数1-4倍的含硫化合物,金属盐总摩尔数0-0.5倍的表面活性剂,超声或磁力搅拌使其混合均匀,得浓度为0.05-0.2mol/L前驱体溶液;
2)将步骤1)所得的前躯体溶液转移至内衬聚四氟乙烯的不锈钢反应釜内,在150-220℃条件下反应5-48小时,反应完毕后自然冷却至室温,所得产物在室温条件下用乙醇洗涤3-6次并离心分离,分离后的产物干燥后即得到铜锌锡硫光电材料的粉体。
2.如权利要求1所述的一种铜锌锡硫光电材料的水热合成方法,步骤如下:
1)将锌盐、锡盐、铜盐按(1~4)∶(0.3~1)∶(0.6~2)的摩尔比溶于溶剂中,再加入金属盐总摩尔数1-4倍的含硫化合物,金属盐总摩尔数0-0.5倍的表面活性剂,超声或磁力搅拌使其混合均匀,得浓度为0.1mol/L前驱体溶液;
2)将步骤1)所得的前躯体溶液转移至内衬聚四氟乙烯的不锈钢反应釜内,在180-220℃条件下反应10-48小时,反应完毕后自然冷却至室温,所得产物在室温条件下用乙醇洗涤3-6次并离心分离,分离后的产物干燥后即得到铜锌锡硫光电材料的粉体。
3.如权利要求1或2所述的一种铜锌锡硫光电材料的水热合成方法,其特征在于,步骤1)所述的铜盐为氯化铜、硝酸铜、醋酸铜、硫酸铜、氯化亚铜、硫酸亚铜、硝酸亚铜中的一种;步骤1)所述的锡盐为氯化亚锡、硫酸亚锡中、氯化锡中的一种;步骤1)所述的锌盐为氯化锌、硝酸锌、醋酸锌、硫酸锌、磷酸锌中的一种;步骤2)所述的含硫化合物为硫脲、硫化钠、硫化钾、铜试剂、硫代乙酰胺中的一种;步骤2)所述的表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵、十六烷基二甲基氯化铵、十八烷基三甲基氯化铵、十二烷基二甲基氧化胺、溴化十六烷基吡啶、十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠中的一种。
4.如权利要求1或2所述的一种铜锌锡硫光电材料的水热合成方法,其特征在于,步骤1)所述的溶剂为水、水和乙二胺按体积比1∶1~10∶1的混合溶剂中的一种。
5.如权利要求1或2所述的一种铜锌锡硫光电材料的水热合成方法,其特征在于,步骤如下:
1)分别称取0.5毫摩尔氯化锌、0.5毫摩尔氯化亚锡、1毫摩尔氯化铜、4毫摩尔硫脲、20毫升水,磁力搅拌使其混合均匀,得前驱体溶液;
2)将步骤1)所得的前躯体溶液转移至内衬为聚四氟乙烯的不锈钢反应釜内,在200℃下恒温反应10小时,反应完毕后自然冷却至室温,所得产物在室温条件下用无水乙醇洗涤4次后离心分离,分离后的产物干燥后,即得到铜锌锡硫光电材料的粉体。
6.如权利要求1或2所述的一种铜锌锡硫光电材料的水热合成方法,其特征在于,步骤如下:
1)分别称取0.5毫摩尔氯化锌、0.5毫摩尔氯化亚锡、1毫摩尔氯化铜、4毫摩尔硫脲、20毫升体积比为1∶1的水和乙二胺的混合溶剂,超声使其混合均匀,得前驱体溶液;
2)将步骤1)所得的前躯体溶液转移至内衬为聚四氟乙烯的不锈钢反应釜内,在180℃下恒温反应24小时,反应完毕后自然冷却至室温,所得产物在室温条件下用无水乙醇洗涤4次后离心分离,分离后的产物干燥后,即得到铜锌锡硫光电材料的粉体。
7.如权利要求1或2所述的一种铜锌锡硫光电材料的水热合成方法,其特征在于,步骤如下:
1)分别称取1毫摩尔氯化锌、0.33毫摩尔氯化亚锡、0.67毫摩尔氯化铜、4毫摩尔硫脲、0.26克十六烷基三甲基溴化铵、20毫升水,磁力搅拌使其混合均匀,得前驱体溶液;
2)将步骤1)所得的前躯体溶液转移至内衬为聚四氟乙烯的不锈钢反应釜内,在220℃下恒温反应16小时,反应完毕后自然冷却至室温,所得产物在室温条件下用无水乙醇洗涤6次后离心分离,分离后的产物干燥后,即得到铜锌锡硫光电材料的粉体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的