[发明专利]铁电薄膜形成用组合物、铁电薄膜的形成方法及铁电薄膜

权利要求书

1.一种铁电薄膜形成用组合物，其用于形成选自PLZT、PZT及PT中的1种铁电薄膜，其特征在于，

该组合物为用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述混合复合金属氧化物在通式：(Pb_xLa_y)(Zr_zTi_(1-z))O₃所示的复合金属氧化物A中，混合含有Bi的复合金属氧化物B，在所述通式中，0.9＜x＜1.3，0≤y＜0.1，0≤z＜0.9，

并且由有机金属化合物溶液构成，所述有机金属化合物溶液中，用于构成所述复合金属氧化物A的原料及用于构成所述复合金属氧化物B的原料以提供上述通式所示的金属原子比的比例溶解于有机溶剂中，

用于构成所述复合金属氧化物B的原料为正辛酸基通过其氧原子与金属元素键合的化合物。

2.如权利要求1所述的铁电薄膜形成用组合物，其特征在于，

用于构成所述复合金属氧化物A的原料为有机基团通过其氧原子或氮原子与金属元素键合的化合物。

3.如权利要求2所述的铁电薄膜形成用组合物，其特征在于，

用于构成所述复合金属氧化物A的原料为选自金属醇盐、金属二醇络合物、金属三元醇络合物、金属羧酸盐、金属β-二酮络合物、金属β-二酮酯络合物、金属β-亚氨基酮络合物及金属氨基络合物中的1种或2种以上。

4.如权利要求1至3中任一项所述的铁电薄膜形成用组合物，其特征在于，

相对于所述组合物中的金属总量1摩尔以0.2～3摩尔的比例进一步含有稳定剂，所述稳定剂选自β-二酮、β-酮酸、β-酮酯、含氧酸、二醇、三元醇、高级羧酸、烷醇胺及多元胺中的1种或2种以上。

5.如权利要求1至3中任一项所述的铁电薄膜形成用组合物，其特征在于，

所述B与所述A的摩尔比B/A为0＜B/A＜0.2。

6.如权利要求5所述的铁电薄膜形成用组合物，其特征在于，

所述B与所述A的摩尔比B/A为0.005≤B/A≤0.1。

7.一种铁电薄膜的形成方法，其特征在于，

将权利要求1至6中任一项所述的铁电薄膜形成用组合物涂布于耐热基板上，进行一次在空气中、氧化气氛中或含水蒸汽气氛中加热的工序或者重复进行该工序直至得到所需厚度的膜为止，至少在最终工序中的加热中或加热后以结晶化温度以上的温度烧结该膜。

8.一种铁电薄膜，该铁电薄膜通过权利要求7所述的方法形成。

9.一种具有权利要求8所述的铁电薄膜的薄膜电容器、电容器、集成无源器件、DRAM存储器用电容器、层叠电容器、晶体管的栅极绝缘体、非易失性存储器、热释电型红外线检测元件、压电元件、电光元件、执行器、谐振器、超声波马达或LC噪声滤波器元件的复合电子零件。

10.一种权利要求9所述的与100MHz以上的频带对应的具有铁电薄膜的薄膜电容器、电容器、集成无源器件、DRAM存储器用电容器、层叠电容器、晶体管的栅极绝缘体、非易失性存储器、热释电型红外线检测元件、压电元件、电光元件、执行器、谐振器、超声波马达或LC噪声滤波器元件的复合电子零件。