[发明专利]内部气相沉积工艺有效
申请号: | 201110092930.0 | 申请日: | 2011-04-13 |
公开(公告)号: | CN102219372A | 公开(公告)日: | 2011-10-19 |
发明(设计)人: | I·米莉瑟维克;M·J·N·范·斯特劳伦;J·A·哈特苏克;E·阿尔迪;E·A·库伊佩斯 | 申请(专利权)人: | 德拉克通信科技公司 |
主分类号: | C03B37/018 | 分类号: | C03B37/018;C03B37/025 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 内部 沉积 工艺 | ||
1.一种光纤用初级预制品的制造方法,其使用内部气相沉积工艺,所述方法包括以下步骤:
i)设置具有供给侧和排出侧的中空玻璃基管,
ii)由加热炉包围至少部分所述中空玻璃基管,
iii)将玻璃形成气体的掺杂或未掺杂的气体流经由所述中空玻璃基管的供给侧供给至所述中空玻璃基管的内部,
iv)创建其中条件为使得玻璃的沉积发生在所述中空玻璃管的内部的反应区,和
v)在所述中空玻璃基管的位于所述供给侧附近的换向点和位于所述排出侧附近的换向点之间,沿所述中空玻璃基管的纵向往复移动反应区,其特征在于:
在至少部分步骤v)的期间,当所述反应区位于换向点附近或在换向点处时,将额外量的包括含氟化合物的气体经由所述中空玻璃基管的供给侧供给至所述中空玻璃基管的内部。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述含氟化合物不含氢原子,且优选选自由化合物CF4、C2F6、C4F8、CCl2F2、SiF4、Si2F6、SF6、NF3、F2或这些化合物中两种以上的混合物组成的组。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述含氟化合物为C2F6、C4F8或其混合物。
4.根据前述权利要求中的一项或多项所述的方法,其中当在所述中空玻璃基管的位于所述供给侧附近的换向点和位于所述排出侧附近的换向点之间,沿所述中空玻璃基管的纵向往复移动所述反应区时,在步骤iii)中所述气体流的供给量是恒定的。
5.根据前述权利要求1-4中的一项或多项所述的方法,其中将所述额外量的气体以单或多脉冲的形式供给,
其中特别是采用脉冲时间为10-500ms、优选50-200ms。
6.根据前述权利要求1-5中的一项或多项所述的方法,其中在所述额外量的供给气体中,所述含氟化合物的总量为0.01-10scc、优选0.05-5scc、更优选0.1-1scc。
7.根据前述权利要求1-6中的一项或多项所述的方法,其中所述额外量的气体包括载气和/或掺杂剂和/或玻璃形成气体。
8.根据前述权利要求1-7中的一项或多项所述的方法,其中所述额外量的气体包括氧气作为载气。
9.根据前述权利要求1-8中的一项或多项所述的方法,其中,在步骤v)中,所述反应区以10-40m/min、特别是15-30m/min、优选15-25m/min的速度沿所述中空玻璃基管的沉积长度移动。
10.根据前述权利要求1-9中的一项或多项所述的方法,其中,在步骤iv)中的所述反应区为等离子区,优选微波等离子区,其中特别地在步骤v)期间所述等离子区能量是恒定的。
11.根据前述权利要求1-10中的一项或多项所述的方法,其中,在步骤v)中,将所述加热炉设定为温度800-1200℃,优选900-1100℃。
12.根据前述权利要求1-11中的一项或多项所述的方法,其中仅当所述反应区位于在所述中空玻璃基管供给侧附近的换向点处或其附近时,添加所述额外量的气体。
13.根据前述权利要求1-11中的一项或多项所述的方法,其中仅当所述反应区位于在所述中空玻璃基管排出侧附近的换向点处或附近时,添加所述额外量的气体。
14.一种光纤用最终预制品的制造方法,其包括以下步骤:
i)制造根据前述权利要求1-13中的一项或多项所述的初级预制品,然后
ii)使用热源将在步骤i)中获得的初级预制品坍缩为实心初级预制品,
iii)任选地将额外量的玻璃沉积至所述实心初级预制品的外部,以形成最终预制品。
15.一种光纤的制造方法,其包括根据权利要求14制造光纤用最终预制品、接着加热所述最终预制品的一端和拉制光纤的步骤。
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